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J-GLOBAL ID：202202239163533423   整理番号：22A0451095

圧電半導体ロッドに連続傾斜ドーピングしたPN接合における電気機械場【JST・京大機械翻訳】

Electromechanical fields in PN junctions with continuously graded doping in piezoelectric semiconductor rods

著者 (4件)： Yang Guangying (Smart Materials and Advanced Structure Laboratory, School of Mechanical Engineering and Mechanics, Ningbo University, Ningbo, Zhejiang, China) ,  Du Jianke (Smart Materials and Advanced Structure Laboratory, School of Mechanical Engineering and Mechanics, Ningbo University, Ningbo, Zhejiang, China) ,  Wang Ji (Smart Materials and Advanced Structure Laboratory, School of Mechanical Engineering and Mechanics, Ningbo University, Ningbo, Zhejiang, China) ,  Yang Jiashi (Department of Mechanical and Materials Engineering, The University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, NE, USA)
資料名： Archive of Applied Mechanics  (Archive of Applied Mechanics)
巻： 92  号： 1  ページ： 325-333  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0184A  ISSN： 0939-1533  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 連続的に傾斜したドーピングを有する圧電半導体ロッドにおけるPN接合を研究した。圧電半導体の巨視的理論を用いた。ドーピングプロファイルを,一般的な方法でパワーシリーズによって記述した。また,得られた微分方程式を,べき級数によって解いた。誤差関数によって記述したドーピングによって作り出される電気機械場を例として数値的に計算した。数値結果は,キャリアの拡散とPN接合の形成を示した。有効分極電荷,内蔵電場およびポテンシャル,および歪および機械的変位も計算した。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *PN接合 ,  *圧電半導体 ,  電場 ,  *半導体 ,  微分方程式 ,  *電気機械 ,  *圧電気 ,  *ドーピング ,  べき級数 ,  誤差関数
準シソーラス用語： ドーピングプロファイル ,  分極電荷 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 圧電 ,  半導体 ,  PN接合

分類 (2件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  圧電デバイス  (NC03110I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 圧電半導体 ,  ロッド ,  ドーピング ,  PN接合 ,  電気機械