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J-GLOBAL ID：202202239211011430   整理番号：22A0491449

三元遷移金属カルコゲナイドNb_2Pd_3Se_8:電界効果トランジスタ用の1D Van der Waals材料の新しい候補【JST・京大機械翻訳】

Ternary Transition Metal Chalcogenide Nb₂Pd₃Se₈: A New Candidate of 1D Van der Waals Materials for Field-Effect Transistors

著者 (20件)： Jeong Byung Joo (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Korea) ,  Choi Kyung Hwan (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Korea) ,  Jeon Jiho (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Korea) ,  Yoon Sang Ok (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Korea) ,  Chung You Kyoung (Department of Chemistry, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Sung Dongchul (Department of Chemistry, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Chae Sudong (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Korea) ,  Kim Bum Jun (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Korea) ,  Oh Seungbae (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Korea) ,  Lee Sang Hoon (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Korea) ,  Woo Chaeheon (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Korea) ,  Kim Tae Yeong (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Korea) ,  Ahn Jungyoon (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Korea) ,  Lee Jae-Hyun (Department of Materials Science and Engineering & Department of Energy Systems Research, Ajou University, Suwon, 16499, Republic of Korea) ,  Huh Joonsuk (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Korea) ,  Huh Joonsuk (Department of Chemistry, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Huh Joonsuk (Institute of Quantum Biophysics, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Yu Hak Ki (Department of Materials Science and Engineering & Department of Energy Systems Research, Ajou University, Suwon, 16499, Republic of Korea) ,  Choi Jae-Young (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Korea) ,  Choi Jae-Young (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Korea)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 32  号： 4  ページ： e2108104  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,高品質1D van der Waals(vdW)Nb_2Pd_3Se_8を合成し,弱く結合した繰り返し単位リボンによるバルクから単一リボンへの優れたスケーラビリティを示した。電子バンド構造の計算は,この新規Nb_2Pd_3Se_8が半導体材料であり,バルクから単一への単位リボンの数の減少により間接から直接バンドギャップ遷移を示すことを確認した。機械的に剥離したNb_2Pd_3Se_8ナノワイヤ上に作製した電界効果トランジスタ(FETs)は室温でn型輸送特性を示し,電子移動度とI_on/I_off比はそれぞれ31cm2V-1s-1と≒104であった。室温から90Kまでの様々な温度での輸送測定を通して,Nb_2Pd_3Se_8FETは,温度範囲でAu接触に対して無視できるSchottky障壁高さ(SBH)を達成でき,明確なオーム接触特性を示すことを確認した。さらに,Al_2O_3誘電体層を用いて作製したトップゲートFETをバックゲートFETと同時に研究した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 誘電体 ,  *金 ,  *FET【トランジスタ】 ,  半導体材料 ,  *カルコゲン化物 ,  *一次元 ,  Ohm接触 ,  ナノワイヤ
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  電子移動度 ,  輸送特性 ,  バックゲート ,  トップゲート ,  電子バンド構造 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 1D van der Waals material ,  field-effect transistor ,  n-type behavior ,  schottky barrier height ,  synthesis

分類 (3件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 遷移金属 ,  カルコゲナイド ,  電界効果トランジスタ ,  1D ,  VAN