文献

J-GLOBAL ID：202202239385456409   整理番号：22A0388485

ナノ材料合成用の陽極炭素アーク中の陽極シースの決定【JST・京大機械翻訳】

Determination of positive anode sheath in anodic carbon arc for synthesis of nanomaterials

著者 (5件)： Chopra N S ( Princeton Plasma Physics Laboratory, Princeton University, Princeton, NJ 08543, United States of America) ,  Chopra N S ( Department of Astrophysical Sciences, Princeton University, Princeton, NJ 08544, United States of America) ,  Raitses Y ( Princeton Plasma Physics Laboratory, Princeton University, Princeton, NJ 08543, United States of America) ,  Yatom S ( Princeton Plasma Physics Laboratory, Princeton University, Princeton, NJ 08543, United States of America) ,  Munoz Burgos J M ( Astro Fusion Spectre LLC, San Diego, CA 92127, United States of America)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 55  号： 11  ページ： 114001 (20pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大気圧アノード炭素アークにおいて,アノードのアブレーションはナノ材料の生産のための炭素の原料として役立つ。このアークにおけるグラファイトアノードのアブレーションは,低および高アブレーション速度を有する2つの明確なモードを有することが知られている。これらのモード間の遷移はアノードへのアーク付着での電力析出によって支配され,アノードとカソード電極間のギャップに依存する。光学発光分光法と組み合わせたプローブ測定を用いてアーク電極間の電圧降下を解析した。これらの測定は,このアークにおける正のアノードシース(すなわち電子吸引シース)の以前の予測を裏付け,それは低および高アブレーションモードの両方に現れる。しかし,正のアノードシースは,約3~8Vと決定され,以前のモデルで予測された~0.5Vより有意に大きかった。このように,アノードシースが両方のアブレーション領域で電子誘引されるこれらのモデルによって考慮されない他の物理的機構が存在する。もう一つの重要な結果は,衝突放射モデルを用いたOESから得られた比較的低い電子温度(~0.6eV)である。この結果は,この放電の既存のシミュレーションによる予測よりも50-70Aのアーク電流を維持するのに必要なより高いアーク電圧(~20V)を部分的に説明する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子温度 ,  付着 ,  プローブ ,  電力 ,  *炭素 ,  グラファイト ,  アブレーション ,  発光分光法 ,  電圧降下 ,  *アノード ,  カソード ,  *ナノ材料
準シソーラス用語： アーク電流 ,  アーク電圧 ,  衝突放射モデル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 気体放電  (BJ03020T)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノ材料 ,  陽極 ,  シース