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J-GLOBAL ID:202202239439566321   整理番号:22A0949185

電子およびオプトエレクトロニクスデバイスのための2Dヘテロ構造における挑戦と機会【JST・京大機械翻訳】

Challenges and opportunities in 2D heterostructures for electronic and optoelectronic devices
著者 (5件):
資料名:
巻: 25  号:ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: W5512A  ISSN: 2589-0042  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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グラフェン,遷移金属ジカルコゲン化物(TMD),およびそれらのヘテロ接合のような二次元(2D)材料は,将来のエレクトロニクス,オプトエレクトロニクス,および量子技術のための有望な材料である。異なる2D層の集合は,光学的,電気的,熱的,磁気的,トポロジー的現象を制御するユニークな方法を提供する。電子グレード2Dヘテロ接合の制御された製作は極めて重要である。ここでは,半導体,金属,および/または半金属から成る2D垂直および横方向ヘテロ接合を作製する新規でスケーラブルな方策をリストした。取り組む必要のある重要な問題は,電子およびオプトエレクトロニクス応用における2Dヘテロ構造のデバイス間変動,信頼性,安定性および性能である。また,2Dヘテロ構造におけるモアレ励起子の積層秩序依存形成が,エキゾチック物理学と新しい機会と共に出現している。さらに,励起子およびバレートロントランジスタを含む2Dヘテロ接合ベースの新しいデバイスの実現は,実世界応用に対するより広範な研究努力を必要とする。また,ナノエレクトロニクス,オプトエレクトロニック,スピントロニクス,およびエネルギー応用の中心にある2Dヘテロ接合における緊急現象を概説した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
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無機化合物一般及び元素  ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  ,  固体デバイス材料  ,  光電デバイス一般  ,  固体デバイス一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
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