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J-GLOBAL ID：202202239741556582   整理番号：22A0107066

二次元フォノニックhBN単層間の超Planck熱放射【JST・京大機械翻訳】

Super-Planckian thermal radiation between 2D phononic hBN monolayers

著者 (6件)： Iqbal Naeem (State Key Lab of Modern Optical Instrumentation, Centre for Optical and Electromagnetic Research, College of Optical Science and Engineering, International Research Center for Advanced Photonics, Zhejiang University, China) ,  Iqbal Naeem (Department of Physics, University of Lahore, Gujrat Campus, Pakistan) ,  Zhang Sen (State Key Lab of Modern Optical Instrumentation, Centre for Optical and Electromagnetic Research, College of Optical Science and Engineering, International Research Center for Advanced Photonics, Zhejiang University, China) ,  Choudhury Pankaj Kumar (Institute of Microengineering and Nanoelectronics, Universiti Kebangsaan Malaysia, 43600, UKM Bangi, Selangor, Malaysia) ,  Jin Yi (State Key Lab of Modern Optical Instrumentation, Centre for Optical and Electromagnetic Research, College of Optical Science and Engineering, International Research Center for Advanced Photonics, Zhejiang University, China) ,  Ma Yungui (State Key Lab of Modern Optical Instrumentation, Centre for Optical and Electromagnetic Research, College of Optical Science and Engineering, International Research Center for Advanced Photonics, Zhejiang University, China)
資料名： International Journal of Thermal Sciences  (International Journal of Thermal Sciences)
巻： 172  号： PA  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0246B  ISSN： 1290-0729  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： フランス (FRA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)六方晶窒化ホウ素(hBN)単層とその複合対称ベース構造における近接場放射熱伝達(NFRHT)を調べた。三次元(3D)材料とは対照的に,縦光学(LO)と横光(TO)フォノニックモードへのモード(2D材料)の分裂は,いくつかの極性材料でもΓ点において消滅した。原子薄hBN単分子層の伝導率は長波長限界下のLOフォノン周波数に依存した。このような概念を利用して,近接場放射スペクトルを説明する電磁局所状態密度(EM-LDOS)を,hBN単分子層との界面に近い自由空間と複合構造で評価した。LDOSの強い狭いピークが,表面フォノンポラリトン(SPhP)共鳴に起因するhBN単分子層の場合に見出された。このピークは,ハイブリッド化によるhBN-グラフェン複合体の場合で修飾され,これは,界面とグラフェンFermiエネルギーからの観測器(真空中)の距離に強く依存する。単分子層hBN間のフラックス密度は,真空ギャップ15nmで印加された0.11eVのFermiエネルギーの下で,単層グラフェン構造と比較して2.8倍増強されることが分かった。Fermiエネルギーを調整する可能性は,熱制御デバイスを設計する際に大きな可能性を持つ。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  共鳴 ,  対称性 ,  *熱放射 ,  単分子層 ,  Fermi準位 ,  複合体 ,  *二次元 ,  三次元 ,  近接場 ,  グラフェン ,  複合構造
準シソーラス用語： 局所状態密度 ,  六方晶窒化ホウ素 ,  単層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： LOフォノン ,  トンネリング ,  NFRHT ,  ハイブリダイゼーションカップリング ,  LDOS

分類 (3件)： 対流・放射熱伝達  (PA02030K) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  熱交換器,冷却器  (PA03020G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単層 ,  Planck ,  熱放射