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J-GLOBAL ID：202202240125476813   整理番号：22A1154286

青色発光のための初期ZnSによるInP量子ドットのエンジニアリングコアサイズ【JST・京大機械翻訳】

Engineering Core Size of InP Quantum Dot with Incipient ZnS for Blue Emission

著者 (16件)： Suh Yo-Han (Electrical Engineering Division, Department of Engineering, University of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0FA, UK) ,  Lee Sanghyo (Electrical Engineering Division, Department of Engineering, University of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0FA, UK) ,  Jung Sung-Min (Electrical Engineering Division, Department of Engineering, University of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0FA, UK) ,  Bang Sang Yun (Electrical Engineering Division, Department of Engineering, University of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0FA, UK) ,  Yang Jiajie (Electrical Engineering Division, Department of Engineering, University of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0FA, UK) ,  Fan Xiang-Bing (Electrical Engineering Division, Department of Engineering, University of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0FA, UK) ,  Zhan Shijie (Electrical Engineering Division, Department of Engineering, University of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0FA, UK) ,  Samarakoon Chatura (Electrical Engineering Division, Department of Engineering, University of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0FA, UK) ,  Jo Jeong-Wan (Electrical Engineering Division, Department of Engineering, University of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0FA, UK) ,  Kim Yoonwoo (Electrical Engineering Division, Department of Engineering, University of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0FA, UK) ,  Choi Hyung Woo (Electrical Engineering Division, Department of Engineering, University of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0FA, UK) ,  Occhipinti Luigi G. (Electrical Engineering Division, Department of Engineering, University of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0FA, UK) ,  Lee Tae Hoon (Electrical Engineering Division, Department of Engineering, University of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0FA, UK) ,  Lee Tae Hoon (School of Materials Science and Engineering, Kyungpook National University, Daegu, 41566, South Korea) ,  Shin Dong-Wook (Electrical Engineering Division, Department of Engineering, University of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0FA, UK) ,  Kim Jong Min (Electrical Engineering Division, Department of Engineering, University of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0FA, UK)
資料名： Advanced Optical Materials  (Advanced Optical Materials)
巻： 10  号： 7  ページ： e2102372  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2486A  ISSN： 2195-1071  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 青色インジウムリン化物量子ドット(InP QD)は,発光目的のための有望な次世代光活性材料として考えられている新しいコロイド半導体ナノ結晶である。青色InP QDにおける大きな進歩にもかかわらず,青色-発光QDを実現するためのInPコアサイズを調整するための合成法は,まだ遅れている。本研究は,初期ZnS(i-ZnS)シェルを有するコアサイズのエンジニアリングによる青色発光InP QDの合成法を示唆した。トリス(トリメチルシリル)ホスフィン注入前のi-ZnS錯体の形成(例えば,コア成長プロセスの前に)は,その表面にZnSシェルを急速に形成することによってInP核の過成長を抑制し,その結果,さらなる矮化InPコアをもたらした。付加的ZnSシェル被覆で,青色QDsは483nmで≒52%の光ルミネセンス量子収率を示した。シェル厚さの増加またはZnSeシェルの利用によるバンドギャップ減少の起源を第一原理密度汎関数理論シミュレーションを通して解明した。シェル被覆によるInP-コア緻密化に関するシミュレーション証拠を,化学的および構造的特性の変化とともに提示した。青色発光InP QDデバイスは1162cdm-2の最大輝度と1.4%の外部量子効率を示した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *発光 ,  光ルミネセンス ,  被覆 ,  輝度 ,  コロイド ,  *硫化亜鉛 ,  緻密化 ,  *リン化インジウム ,  セレン化亜鉛 ,  量子効率 ,  *量子ドット ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 過成長 ,  外部量子効率 ,  *青色発光 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 青色発光 ,  密度汎関数理論モデリング ,  初期ZnS ,  リン化インジウム量子ドット ,  量子ドット発光ダイオード

分類 (4件)： 発光素子  (NC03082G) ,  コロイド化学一般  (CB11010C) ,  塩  (CD01050V) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 青色発光 ,  初期 ,  ZnS ,  InP ,  量子ドット