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J-GLOBAL ID：202202240199184526   整理番号：22A0227037

FeGaB薄膜における磁化と歳差誘起DC電圧の共鳴歳差【JST・京大機械翻訳】

Resonant precession of magnetization and precession-induced DC voltages in FeGaB thin films

著者 (4件)： Bajracharya Prabesh (Department of Physics, Morgan State University, Baltimore, MD 21251, United States of America) ,  Sharma Vinay (Department of Physics, Morgan State University, Baltimore, MD 21251, United States of America) ,  Johnson Anthony (Department of Physics, Morgan State University, Baltimore, MD 21251, United States of America) ,  Budhani Ramesh C (Department of Physics, Morgan State University, Baltimore, MD 21251, United States of America)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 55  号： 7  ページ： 075303 (9pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Fe_78Ga_13B_9合金の非晶質膜に対する周波数依存強磁性共鳴とスピンポンピング駆動dc電圧(V_dc)の測定を報告し,金属強磁性体(FM)の平膜における自己誘起逆スピンHall効果(ISHE)の現象を検討した。V_dc信号は,磁場反転に対して非対称であり,共鳴場の周りに中心を持つ対称および非対称Lorentzianから成る。薄膜サイズ効果の支配的役割は,より薄い膜(≦8nm)における磁化歳差の静的磁化,V_dcおよび動力学の大きさの設定において見られる。磁化パラメータの膜厚依存性は,膜-基板界面で磁気的に無秩序な領域の存在を示し,これは基板に向けての先行する磁化によって発生するスピンの優先的流れを促進する可能性がある。しかし,V_dcシグナルは,膜-基板界面近くのスピン-軌道結合駆動スピン-電荷変換の効果を乗り越すこれらの膜の≒0.4%の異方性磁気抵抗と大きな(≒54nΩm)異常Hall抵抗率(AHR)の整流効果からの寄与も引き出す。共平面導波路形状における高周波場を受ける強磁性膜の電気力学の既存の理論の枠組みの中で,これらのデータに取り組んだ。54nΩm AHRのサンプルに対する自己誘起ISHEの推定は,それが測定した対称電圧に対して有意に(≒90%)寄与することを示した。本研究は,無秩序界面と大きな異常Hall効果をもつ金属FMsにおけるスピンポンピング誘起dc電圧を完全に理解するのに非常に有用であると期待される。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  強磁性 ,  強磁性共鳴 ,  *磁化 ,  磁場 ,  対称性 ,  *電圧 ,  *薄膜 ,  周波数依存性 ,  非対称性 ,  磁気 ,  *歳差運動 ,  整流 ,  コプレーナ導波路
準シソーラス用語： 逆スピンHall効果 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 薄膜一般  (BK14010X) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (6件)： 薄膜 ,  磁化 ,  歳差 ,  誘起 ,  DC電圧 ,  共鳴