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J-GLOBAL ID：202202240273502933   整理番号：22A0994269

CVD成長グラフェンに及ぼす気相反応の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Gas-Phase Reaction on the CVD Growth of Graphene

著者 (4件)： Chen Heng (北京大学納米化学研究中心,北京分子科学国家研究中心,北京大学化学与分子工程学院,北京100871;北京石墨xi研究院,北京100095) ,  Zhang Jincan (北京大学納米化学研究中心,北京分子科学国家研究中心,北京大学化学与分子工程学院,北京100871;北京大学前沿交叉研究院,北京100871;北京石墨xi研究院,北京100095) ,  Liu Xiaoting (北京大学納米化学研究中心,北京分子科学国家研究中心,北京大学化学与分子工程学院,北京100871;北京大学前沿交叉研究院,北京100871;北京石墨xi研究院,北京100095) ,  Liu Zhongfan (北京大学納米化学研究中心,北京分子科学国家研究中心,北京大学化学与分子工程学院,北京100871;北京石墨xi研究院,北京100095)
資料名： Wuli Huaxue Xuebao  (Wuli Huaxue Xuebao)
巻： 38  号： 1  ページ： 36-51  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0391A  ISSN： 1000-6818  CODEN： WHXUEU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 化学蒸着法(CVD)で調製したグラフェン薄膜は高品質、均一性、層数が制御可能で、増幅できるなどのメリットがあり、近年、学術界と工業界の広範な関心を集めている。高温CVD成長過程において、基板表面の反応以外に、気相反応は同様にグラフェンの成長挙動と薄膜品質に影響する。本論文では気相反応によるCVD成長グラフェンへの影響を総説する。最初に,CVDシステムにおける気相物質移動過程と気相反応を詳細に議論した。次に,気相制御に基づくグラフェンの結晶性,清浄度,ドメインサイズ,層数,および成長速度に関する戦略と機構を紹介した。最後に気相反応によるCVD成長グラフェンの規律についてまとめ、将来可能な発展方向を展望した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  物質移動 ,  薄膜 ,  制御 ,  *気相反応 ,  結晶度 ,  清浄度 ,  化学蒸着 ,  *気相 ,  成長段階 ,  成長速度 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 高品質 ,  ドメインサイズ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： CVD ,  成長 ,  グラフェン ,  気相反応