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J-GLOBAL ID：202202240336468772   整理番号：22A0986070

量子計量によるフラットバンド材料における抵抗率の限界【JST・京大機械翻訳】

Bound on resistivity in flat-band materials due to the quantum metric

著者 (2件)： Mitscherling Johannes (Max Planck Institute for Solid State Research, Heisenbergstrasse 1, 70569, Stuttgart, Germany) ,  Holder Tobias (Department of Condensed Matter Physics, Weizmann Institute of Science, Rehovot, Israel 76100)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 105  号： 8  ページ： 085154  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子メトリックはバンド理論の中心量であるが,その非古典的起源による多くの応答係数とは関連していない。しかし,高速緩和のための新しく開発したKubo形式内で,古典的(バンド内)と量子(バンド間)寄与の両方へのdc電気伝導率の分解が,バンド間部分が量子メトリックに比例することを最近明らかにした。ここでは,量子メトリックによるバンド間効果が,著しく増強され,電荷中性での半金属に対する伝導率と,高消光帯域幅を持つ系に対してさえ支配的であることを示した。これは,中間緩和速度に対して,量子計量とBerry曲率の一般的な幾何学的起源により,抵抗率に対して上限が存在する,非ゼロチェン数のトポロジーフラットバンド材料に対して特に当てはまる。高度に調整可能な菱面体晶三層グラフェンフレークにおけるこれらの効果の探索を示唆した。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 消光 ,  *バンド構造 ,  電荷 ,  *電気抵抗率 ,  電気伝導率 ,  緩和現象 ,  帯域幅 ,  三方晶系 ,  半金属 ,  フレーク ,  緩和速度
準シソーラス用語： ホップ数 ,  バンド理論 ,  伝導率 ,  *フラットバンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 量子 ,  計量 ,  フラットバンド ,  抵抗率 ,  限界