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J-GLOBAL ID：202202240363254326   整理番号：22A0396297

負のBias照明ストレス安定性の効果的改善によるプラセオジムドープIn-Sn-Zn-O TFT【JST・京大機械翻訳】

Praseodymium-Doped In-Sn-Zn-O TFTs With Effective Improvement of Negative-Bias Illumination Stress Stability

著者 (5件)： Zhang Hengbo (Laboratory of Advanced Nano Materials and Devices, Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, China) ,  Liang Lingyan (Laboratory of Advanced Nano Materials and Devices, Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, China) ,  Wang Xiaolong (Laboratory of Advanced Nano Materials and Devices, Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, China) ,  Wu Zhendong (Laboratory of Advanced Nano Materials and Devices, Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, China) ,  Cao Hongtao (Laboratory of Advanced Nano Materials and Devices, Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 1  ページ： 152-155  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,非晶質プラセオジムドープIn-Sn-Zn-O(ITZO-Pr)薄膜トランジスタ(TFTs)を,異なる高周波(RF)マグネトロンスパッタリングパワー下で,改善された負バイアス照明応力(NBIS)安定性で作製した。最適化されたITZO-Pr TFTsは,NBIS(-20V,3600s)の下で,20.9cm2.V-1s-1の電界効果移動度(μ_FE),0.27V/decの急峻なサブ閾値(SS),および小さな閾値電圧シフト(ΔV_th=-2.12V)を示した。すべてのPrドープデバイスは,ITZO TFTと比較して1桁以上の光応答性の減少を示した。さらに,Prドーピングの後,光電子の緩和過程は変化し,次に,光誘起電子緩和の活性化エネルギー(E_a)は減少し,これはITZO TFTsのNBIS安定性を効果的に増強した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 活性化エネルギー ,  最適化 ,  照明 ,  薄膜トランジスタ ,  HF【周波数】 ,  非晶質 ,  ドーピング ,  緩和現象 ,  *プラセオジム ,  バイアス ,  光電子
準シソーラス用語： 光応答 ,  光誘起 ,  電界効果移動度 ,  閾値電圧シフト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 照明 ,  ストレス ,  安定性 ,  プラセオジム ,  ドープ ,  Sn ,  Zn ,  TFT