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J-GLOBAL ID：202202240385814411   整理番号：22A0451857

亜周囲温度でのナノ結晶ZnO膜の誘電特性の評価【JST・京大機械翻訳】

Evaluation of dielectric properties of nanocrystalline ZnO films at sub-ambient temperatures

著者 (3件)： Mera J. (Universidad CESMAG, Departamento de Ciencias Basicas, Grupo de Investigacion en Materiales Funcionales, Pasto, Colombia) ,  Mera J. (Universidad de Narino, Facultad de Ingenieria, Centro de Investigacion en Materiales, Calle 18 No 50-02, Ciudad Universitaria Torobajo, Pasto, Colombia) ,  Moran O. (Universidad Nacional de Colombia - Sede Medellin, Facultad de Ciencias, Departamento de Fisica, Grupo de Investigacion Advanced Oxides Group, Medellin, Colombia)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 128  号： 2  ページ： 128  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ結晶ZnO膜を,Pechini法およびスピンコーティング法によりガラス基板上に調製した。X線回折パターンは,この薄膜が単相であり,この調査で用いた従来の回折計の感度限界内で不純物または二次相を含まないことを示した。Williamson-Hallモデルを用い,X線回折パターンから,γ≦30nmの微結晶サイズと0.7×10-3の格子微小歪を決定した。90Kの低温で40Hzから5MHzの周波数範囲でインピーダンス分光研究を行った。複素インピーダンススペクトルは1つの半円のみを示し,誘電応答は主にバルク粒に対応する単一容量要素から生じていることを示唆した。これを電気モジュラス手法により確認した。誘電率の実数部と虚数部は周波数と温度の低下とともに減少した。温度による弾性率の虚数部分の進展から,Δλ20meVの活性化エネルギーを決定した。局所状態間の小さなポーラロンのホッピングを,研究した膜の伝導過程を支配する物理的機構として同定した。誘電損失は,静電容量の虚数成分によって特徴づけられた。DC抵抗率の温度依存性は典型的な半導体挙動を示した。興味深いことに,DC抵抗率の解析から得られた活性化エネルギーの値は,電気係数の虚数部から推定したものと良く一致した。この知見は,電荷キャリアの運動に関与する現象の一般的な熱起源の兆候として解釈された。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer-Verlag GmbH, DE part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： インピーダンス ,  活性化エネルギー ,  薄膜 ,  誘電損失 ,  誘電率 ,  *誘電性 ,  *酸化亜鉛 ,  温度依存性 ,  スペクトル ,  静電容量 ,  ホッピング伝導 ,  虚数 ,  *ナノ結晶
準シソーラス用語： 誘電応答 ,  複素インピーダンス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ゾル-ゲル ,  インピーダンス分光法:活性化エネルギー ,  低温

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 周囲温度 ,  ナノ結晶 ,  ZnO ,  誘電特性 ,  評価