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J-GLOBAL ID:202202240420343899   整理番号:22A1083086

固有積層欠陥近傍におけるダイヤモンドNV中心遷移エネルギー【JST・京大機械翻訳】

The diamond NV-center transition energies in the vicinity of an intrinsic stacking fault
著者 (3件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 035009-035009-8  発行年: 2022年 
JST資料番号: U7121A  ISSN: 2158-3226  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ダイヤモンド中の負に荷電した窒素空孔(NV-)中心は,量子暗号のための単一光子源として,そして室温量子計算における量子ビットとして,例えば単一分子光ルミネセンスおよび核磁気共鳴センシングのために,操作できる非常に敏感な特性を有するナノメートルサイズの欠陥である。その特性の最小摂動を持つために,他の欠陥からNV中心を分離することが重要である。ダイヤモンドで一般的である拡張欠陥の1タイプは,転位に関連した固有積層欠陥(ISF)である。本研究では,密度汎関数理論シミュレーションを用いて,NV-中心とISF間の距離が,Kohn-Shamバンドギャップにおける遷移エネルギー,スピン密度,およびエネルギー固有値を含む特性にどのように影響するかを調べた。著者らは,NV中心特性がISFの近傍に置かれたとき,わずかに摂動されることを見出した。NV中心とISF間の3.8Åの距離に対してさえ,ゼロフォノン線(ZPL)エネルギーの減少は6.8%未満である。ZPLをより顕著に摂動するために,NV中心は積層欠陥滑り面(11.3%減少)の内側に置く必要がある。ZPLの変化はバルク値より低い場合であり,実験観察を導くのに使用できる。NV中心はISFsと弱く相互作用し,ダイヤモンド表面への5Åの小さなバルク変換深さに加えて,それらの技術的利用に重要であることを見出した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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炭素とその化合物  ,  その他の無機化合物の格子欠陥 
タイトルに関連する用語 (5件):
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