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J-GLOBAL ID：202202240485263130   整理番号：22A0994270

超清浄グラフェン薄膜の調製法【JST・京大機械翻訳】

Synthesis of Superclean Graphene

著者 (4件)： Liu Xiaoting (北京大学納米化学研究中心,北京分子科学国家研究中心,北京大学化学与分子工程学院,北京100871;北京大学前沿交叉学科研究院,北京100871;北京石墨xi研究院,北京100095) ,  Zhang Jincan (北京大学納米化学研究中心,北京分子科学国家研究中心,北京大学化学与分子工程学院,北京100871;北京大学前沿交叉学科研究院,北京100871;北京石墨xi研究院,北京100095) ,  Chen Heng (北京大学納米化学研究中心,北京分子科学国家研究中心,北京大学化学与分子工程学院,北京100871;北京石墨xi研究院,北京100095) ,  Liu Zhongfan (北京大学納米化学研究中心,北京分子科学国家研究中心,北京大学化学与分子工程学院,北京100871;北京石墨xi研究院,北京100095)
資料名： Wuli Huaxue Xuebao  (Wuli Huaxue Xuebao)
巻： 38  号： 1  ページ： 52-66  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0391A  ISSN： 1000-6818  CODEN： WHXUEU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 化学蒸着(Chemicalvapordeposition,CVD)法で調製したグラフェン薄膜は品質が高く、制御性が良く、増幅できるなどのメリットがあり、近年、学術界と工業界の広範な関心を集めている。しかし、最近の研究結果により、高温CVDでグラフェンを成長させる過程で、多くの副反応を伴い、これらの副反応はグラフェン薄膜の表面に大量の無定形炭素汚染物を堆積させ、グラフェン薄膜の「真性汚染」現象を引き起こすことが分かった。同時に、これらの汚染物の存在は、転移後のグラフェン薄膜表面のより汚れを引き起こし、グラフェン材料とデバイスの性能に深刻な影響を与える。CVDグラフェン薄膜の性能は,グラフェンを機械的に剥離する重要な理由の1つである。事実、超清浄な成長方法で調製した超清浄なグラフェン薄膜は、多くの指標において、現在文献に報告された最も良い結果を与え、グラフェン薄膜材料の調製技術の発展の最前線を代表している。本論文では、まずCVD法によるグラフェン製造プロセスにおける表面汚染物の形成メカニズムについて分析し、その後、超清浄グラフェン薄膜の調製方法について概説し、超清浄グラフェン薄膜の優れた性質を挙げた。最後に、超清浄グラフェンの将来可能な発展方向と規模化製造が直面するチャンスと挑戦についてまとめ、展望した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  性能 ,  *薄膜 ,  可制御性 ,  汚染物質 ,  化学蒸着 ,  生産工程 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： アモルファスカーボン ,  表面汚染物 ,  薄膜材料 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  薄膜 ,  調製法