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J-GLOBAL ID：202202240532443686   整理番号：22A1083027

下部E領域電離層におけるLangmuirプローブに対するElectron-中性衝突効果【JST・京大機械翻訳】

Electron-neutral collisions effects on Langmuir probe in the lower E-region ionosphere

著者 (7件)： Brask S. M. (Department of Physics, University of Oslo, P.O. Box 1048, Blindern, 0316 Oslo, Norway) ,  Marholm S. (Department of Physics, University of Oslo, P.O. Box 1048, Blindern, 0316 Oslo, Norway) ,  Di Mare F. (Department of Physics, University of Oslo, P.O. Box 1048, Blindern, 0316 Oslo, Norway) ,  Adhikari S. (Department of Physics, University of Oslo, P.O. Box 1048, Blindern, 0316 Oslo, Norway) ,  Spicher A. (Department of Physics and Technology, University of Tromso, P.O. Box 6050, Langnes, 9037 Tromso, Norway) ,  Takahashi T. (National Institute of Maritime, Port, and Aviation Technology, 6-38-1, Shinkawa, Mitaka-shi, Tokyo 181-0004, Japan) ,  Miloch W. J. (Department of Physics, University of Oslo, P.O. Box 1048, Blindern, 0316 Oslo, Norway)
資料名： Physics of Plasmas  (Physics of Plasmas)
巻： 29  号： 3  ページ： 033511-033511-10  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0641B  ISSN： 1070-664X  CODEN： PHPAEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 衝突電子シースを持つ電子飽和領域における円筒Langmuirプローブをシミュレートするために用いた荷電と中性粒子間のモンテカルロ衝突を含む粒子-イン-セルシミュレーションの最初のセットを示した。E領域電離層に焦点を当てたセットアップを用いた。しかし,これらのシミュレーションの結果を無次元値を用いて一般的な意味で解析した。電子電流が電子の衝突周波数の増加と共に増強し,λ_e/λ_D→1の値がλ_eが電子平均自由行程であり,λ_Dが電子Debye長であることを見いだした。さらに,シミュレーション結果を探測ロケット実験に適用し,衝突によるCusp Irregularity-4探測ロケットの調査のための電流を補正できるが,E領域を通してハエを飛び出すことを示した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Langmuir探針 ,  モンテカルロ法 ,  シミュレーション ,  *衝突効果 ,  *電離層 ,  電流 ,  円筒 ,  平均自由行程 ,  *E層 ,  ロケット ,  Debye長 ,  中性粒子
準シソーラス用語： 電子流 ,  衝突周波数 ,  電子平均自由行程 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電離層・熱圏  (DC04050O) ,  プラズマ診断  (BJ02090L)

タイトルに関連する用語 (5件)： E領域 ,  電離層 ,  Langmuirプローブ ,  中性 ,  衝突効果