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J-GLOBAL ID：202202240623158858   整理番号：22A0952553

アルカリ性電解質中での水素発生反応増強のための酸化タングステンの電子構造の調整【JST・京大機械翻訳】

Tuning the Electronic Structure of Tungsten Oxide for Enhanced Hydrogen Evolution Reaction in Alkaline Electrolyte

著者 (10件)： Xu Wei (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, China) ,  Xu Wei (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Science, Beijing, 100049, China) ,  Ni Xingming-M. (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai, 201210, China) ,  Zhang Lunjia-J. (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai, 201210, China) ,  Yang Fan (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai, 201210, China) ,  Peng Zheng (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai, 201210, China) ,  Huang Yifan-F. (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai, 201210, China) ,  Liu Zhi (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, China) ,  Liu Zhi (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Science, Beijing, 100049, China) ,  Liu Zhi (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai, 201210, China)
資料名： Chemelectrochem  (Chemelectrochem)
巻： 9  号： 5  ページ： e202101300  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2526A  ISSN： 2196-0216  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HER触媒の電子構造のエンジニアリングは,アルカリ電解質中の貴金属フリー触媒の性能を改善することが示唆されている。ここでは,酸化タングステン触媒における適切なカチオンドーピングが界面構造,表面化学状態およびバンドギャップ値を変化させ,HER性能を増強することを示した。実験では,カチオン(Ni,CoおよびFe)ドープ酸化タングステン触媒をニッケル発泡体上に合成し,Ni基合金を修飾した。Coドープ触媒(Co-WO)は異常なHER活性を示し,10mAcm-2の電流密度で30mVの低い過電圧,32mVdec-1のTafel勾配を示した。このシステムでは,Ni系合金-酸化タングステン界面が水解離を促進した。さらに,Coドーピングによって誘起されたバンドギャップと改善された伝導率は,HERプロセスにおける電荷移動能力をさらに増強した。カチオンドーピングと結合した制御された金属酸化物ヘテロ構造は,効率的な界面活性部位,優れた電気伝導率,および強化された電子移動速度を有する触媒を与え,HER性能を促進した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  電荷移動 ,  *電子構造 ,  貴金属 ,  ニッケル ,  触媒 ,  過電圧 ,  *酸化タングステン ,  ドーピング ,  素子構造 ,  電流密度 ,  *電解質 ,  カチオン ,  *水素発生反応 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： カチオン調節 ,  電子構造 ,  水素発生反応 ,  界面構造 ,  酸化タングステン

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (6件)： アルカリ性 ,  電解質 ,  水素発生反応 ,  増強 ,  酸化タングステン ,  電子構造