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J-GLOBAL ID：202202240636234349   整理番号：22A1161794

量子情報技術に適用可能な室温単一光子エミッタ用のAlNナノワイヤに埋め込まれた円盤状GaN量子ドット【JST・京大機械翻訳】

Disk-Shaped GaN Quantum Dots Embedded in AlN Nanowires for Room-Temperature Single-Photon Emitters Applicable to Quantum Information Technology

著者 (21件)： Deng Jun (Beijing National Research Center for Information Science and Technology (BNRist), Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, China) ,  Yu Jiadong (Beijing National Research Center for Information Science and Technology (BNRist), Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, China) ,  Yu Jiadong (Center for Flexible Electronics Technology, Tsinghua University, China) ,  Hao Zhibiao (Beijing National Research Center for Information Science and Technology (BNRist), Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, China) ,  Hao Zhibiao (Center for Flexible Electronics Technology, Tsinghua University, China) ,  Kang Jianbin (Microsystem and Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics, China) ,  Lu Boyang (Beijing National Research Center for Information Science and Technology (BNRist), Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, China) ,  Wang Lai (Beijing National Research Center for Information Science and Technology (BNRist), Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, China) ,  Wang Lai (Center for Flexible Electronics Technology, Tsinghua University, China) ,  Sun Changzheng (Beijing National Research Center for Information Science and Technology (BNRist), Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, China) ,  Sun Changzheng (Center for Flexible Electronics Technology, Tsinghua University, China) ,  Han Yanjun (Beijing National Research Center for Information Science and Technology (BNRist), Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, China) ,  Han Yanjun (Center for Flexible Electronics Technology, Tsinghua University, China) ,  Xiong Bing (Beijing National Research Center for Information Science and Technology (BNRist), Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, China) ,  Xiong Bing (Center for Flexible Electronics Technology, Tsinghua University, China) ,  Wang Jian (Beijing National Research Center for Information Science and Technology (BNRist), Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, China) ,  Wang Jian (Center for Flexible Electronics Technology, Tsinghua University, China) ,  Li Hongtao (Beijing National Research Center for Information Science and Technology (BNRist), Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, China) ,  Li Hongtao (Center for Flexible Electronics Technology, Tsinghua University, China) ,  Luo Yi (Beijing National Research Center for Information Science and Technology (BNRist), Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, China) ,  Luo Yi (Center for Flexible Electronics Technology, Tsinghua University, China)
資料名： ACS Applied Nano Materials  (ACS Applied Nano Materials)
巻： 5  号： 3  ページ： 4000-4008  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5033A  ISSN： 2574-0970  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 将来の量子情報技術のための光源として働くことができる,ナノワイヤ(ドットインワイヤ)構造に埋め込まれたディスク型GaN/AlN量子ドットに基づいて,室温で動作する光学的に励起された単一光子エミッタを実証した。量子ドット(QD)のディスク状形状は,QD構造の明確な歪分布と制御可能な光学特性をもたらし,それは連続弾性モデルを用いた理論計算によって明らかにされた。分子線エピタキシーを用いて,予めパターン化したTi/N極性AlN/Si基板上に選択領域成長により,サイト制御GaN/AlNドットインワイヤを成長させた。GaN QDの内部量子効率は31.1%であり,それらの光ルミネセンス(PL)波長は計算と良く一致した。Hanbury-BrownおよびTwissセットアップと統合したマイクロPL分光法により測定したところ,ゼロ時間遅れ(g2(0))での二次相関は,サイト制御GaN/AlNドットインワイヤに対して室温で0.19に達した。本研究は,量子情報技術における応用のための高性能単一光子発光デバイスを実現するための有望なアプローチを提供する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  光源 ,  *光子 ,  光ルミネセンス ,  波長 ,  *窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  *金属線 ,  MBE成長 ,  量子効率 ,  パターン形成 ,  *量子ドット ,  *ナノワイヤ ,  *量子情報
準シソーラス用語： *単一光子 ,  発光素子 ,  内部量子効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 単一光子エミッタ ,  GaN/AlN ,  ドットインワイヤ ,  選択領域成長 ,  励起子-フォノン結合

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 量子情報 ,  室温 ,  単一光子エミッタ ,  AlN ,  ナノワイヤ ,  円盤状 ,  GaN ,  量子ドット