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J-GLOBAL ID：202202240801432044   整理番号：22A0985235

静電閉込めトポロジカル表面状態におけるBerry位相スイッチ【JST・京大機械翻訳】

Berry-Phase Switch in Electrostatically Confined Topological Surface States

著者 (7件)： Zhang Jun (Key Laboratory of Polar Materials and Devices (MOE) and Department of Electronics, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Jiang Ye-Ping (Key Laboratory of Polar Materials and Devices (MOE) and Department of Electronics, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Ma Xu-Cun (State Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Physics, Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Ma Xu-Cun (Frontier Science Center for Quantum Information, Beijing 100084, China) ,  Xue Qi-Kun (State Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Physics, Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Xue Qi-Kun (Frontier Science Center for Quantum Information, Beijing 100084, China) ,  Xue Qi-Kun (Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, China)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 128  号： 12  ページ： 126402  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,7つの五重層3次元(3D)トポロジー絶縁体(TI)[数式:原文を参照]エピタキシャル膜の上部表面上の円形n-p接合におけるトポロジー表面状態のトラッピングを可視化した。空間依存性および磁場依存性トンネルスペクトルによって示されるように,これらのトラップされた共鳴はゼロ磁場での縮退時間反転対称状態間の磁場誘起分裂を示した。これらの挙動は,実験データを数値的および半古典的シミュレーションの両方と比較することにより,Berry-位相スイッチに明確に起因する。エピタキシャル膜におけるトポロジー表面状態の成功した静電トラッピングとBerry位相スイッチの観測は,TIベースの量子デバイスのための新しいアイデアを利用する豊富なプラットフォームを提供する。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁場 ,  シミュレーション ,  対称性 ,  表面 ,  可視化 ,  *位相 ,  縮退 ,  三次元 ,  被覆層 ,  状態 ,  *Berry位相 ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： 時間反転 ,  エピタキシャル膜 ,  *トポロジカル表面状態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 超伝導体の物性一般  (BM04021A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 閉込め ,  トポロジカル表面状態 ,  Berry位相