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J-GLOBAL ID：202202240820365153   整理番号：22A0223900

第一原理計算により獲得したZnO_xSe_1-x(0≦x≦0.25)の格子定数とバンドギャップ【JST・京大機械翻訳】

Lattice constant and band gap of ZnO_xSe_1-x (0 ≦ x ≦ 0.25) acquired by the first-principles calculations

著者 (4件)： Zhao Chuan-Zhen (Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electrical and Electronic Engineering, Tiangong University, Tianjin, China) ,  Huang Yu (Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electrical and Electronic Engineering, Tiangong University, Tianjin, China) ,  Qi Xue-Lian (Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electrical and Electronic Engineering, Tiangong University, Tianjin, China) ,  Wang Yu-Li (Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electrical and Electronic Engineering, Tiangong University, Tianjin, China)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 128  号： 1  ページ： 32  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO_xSe_1-x(0≦x≦0.25)の格子定数とバンドギャップエネルギーを第一原理計算により計算した。格子定数はSeリッチ領域で小さな正の湾曲係数で低下を示すことを見出した。Zn-4sとO-2s状態間のs-sカップリング相互作用がZnO_xSe_1-xの伝導バンド最小(CBM)を押し,バンドギャップ狭小化をもたらすことも分かった。O-2p状態は,ZnO_xSe_1-xの価電子帯最大(VBM)に小さな影響を及ぼした。ZnO_xSe_1-xのVBMは,主にZn-3dとSe-4p状態の間の結合相互作用によって支配された。その下方移動は主にSe-4p状態の減少に起因する。VBMの下方シフトはバンドギャップ変化をもたらすが,バンドギャップ狭小化には寄与しない。バンドギャップエネルギーを表すために,モデルを確立した。1つは,モデルが著しく良い記述を与えることができることを発見した。さらに,酸素分率が0.25のとき,Zn-4sとO-2s状態間のカップリング相互作用は,CBMの位置を決定する唯一の因子ではない。その理由は,x=0.25が不純物様領域よりむしろバンド様領域にあるためである。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer-Verlag GmbH, DE part of Springer Nature 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *格子定数 ,  相互作用 ,  不純物 ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  *バンドギャップ
準シソーラス用語： *第一原理計算 ,  バンドギャップエネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ZnO_xSe_1-x ,  電子バンド構造 ,  Oレベル ,  バンドギャップ

分類 (4件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 第一原理計算 ,  獲得 ,  格子定数 ,  バンドギャップ