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J-GLOBAL ID：202202240897373616   整理番号：22A1153979

p型(Bi_0.9Sb_0.1)_2Se_3単結晶におけるバルクRashbaスピン分裂とDirac表面状態【JST・京大機械翻訳】

Bulk Rashba Spin Splitting and Dirac Surface State in p-Type (Bi_0.9Sb_0.1)₂Se₃ Single Crystal

著者 (10件)： Ghose Pradeepta Kumar (School of Physical Sciences, Indian Association for the Cultivation of Science, Jadavpur, Kolkata, 700032, India) ,  Bandyopadhyay Subhadeep (School of Physical Sciences, Indian Association for the Cultivation of Science, Jadavpur, Kolkata, 700032, India) ,  Dalui Tamal Kumar (School of Physical Sciences, Indian Association for the Cultivation of Science, Jadavpur, Kolkata, 700032, India) ,  Tseng Jochi (Deutsches Elektronen-Synchrotron DESY, Notkestr. 85, 22607, Hamburg, Germany) ,  Dey Jayjit Kumar (School of Physical Sciences, Indian Association for the Cultivation of Science, Jadavpur, Kolkata, 700032, India) ,  Tomar Ruchi (Nanoscale Physics and Device Laboratory, Institute of Nano Science and Technology, Phase-10, Sector-64, Mohali, Punjab, 160062, India) ,  Chakraverty Suvankar (Nanoscale Physics and Device Laboratory, Institute of Nano Science and Technology, Phase-10, Sector-64, Mohali, Punjab, 160062, India) ,  Majumdar Subham (School of Physical Sciences, Indian Association for the Cultivation of Science, Jadavpur, Kolkata, 700032, India) ,  Dasgupta Indra (School of Physical Sciences, Indian Association for the Cultivation of Science, Jadavpur, Kolkata, 700032, India) ,  Giri Saurav (School of Physical Sciences, Indian Association for the Cultivation of Science, Jadavpur, Kolkata, 700032, India)
資料名： Physica Status Solidi. Rapid Research Letters  (Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 16  号： 4  ページ： e2100494  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1880A  ISSN： 1862-6254  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,(Bi_0.9Sb_0.1)_2Se_3中のバルクRashbaスピン分裂(RSS)と関連Dirac表面状態を報告し,支配的なp型伝導率を示した。シンクロトロン回折研究は,バルクRSSの起源が≒30K以下の非中心対称[数式:原文を参照]相への構造転移によるものであることを論じた。Shubnikov-de Haas-Van振動を,低温で磁気抵抗曲線で観察した。Landau準位ファンダイヤグラムにおける[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]成分の両方に対する線形プロットの外挿は,n=0.5がDirac粒子に対して推奨されている1/H=0に対してn=0.40(6)に合致する。低温における磁化結果はバルクRSSと一致する実質的な軌道磁化を示した。バルクRSSとDirac表面状態を第一原理密度汎関数理論計算によって確認した。軌道磁性,バルクRSS,およびDirac表面状態の共存は,p型(Bi_0.9Sb_0.1)_2Se_3に対してユニークであり,スピントロニクス応用の理想的な候補である。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 回折 ,  磁化 ,  シンクロトロン ,  振動 ,  対称性 ,  *単結晶 ,  低温 ,  外挿法 ,  磁気 ,  フェルミオン ,  Landau準位 ,  構造相転移 ,  磁性 ,  *スペクトル線分裂 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： *スピン分裂 ,  Dirac粒子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 軌道磁性 ,  Rashba効果 ,  トポロジカル絶縁体

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単結晶 ,  バルク ,  スピン分裂