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J-GLOBAL ID:202202240936515674   整理番号:22A0230004

Xeイオンビームスパッタリングによりポリイミド基板上に蒸着したインジウムすず酸化物膜のin situ電気的および機械的研究【JST・京大機械翻訳】

In situ electrical and mechanical study of Indium Tin Oxide films deposited on polyimide substrate by Xe ion beam sputtering
著者 (9件):
資料名:
巻: 741  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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厚さ600nmのインジウムスズ酸化物(ITO)薄膜を,異なる堆積条件,すなわちO_2流の有無,および室温または100°C加熱基板の下で,Xeイオンビームスパッタリングによりポリイミド基板上に蒸着した。4種の膜の電気的および機械的特性を,等二軸変形試験中の電気抵抗測定とシンクロトロンX線回折によってその場で調べた。ITO膜は弾性異方性が低く,すなわち弾性異方性指数は1より小さい。弾性領域ドメインは非常に小さく,小さな有効負のゲージ因子に関連している。二軸歪中に,電気的測定は,全ての膜が0.15~0.3%の範囲の適用歪に対応する亀裂開始歪と共に非常に脆いことを示した。堆積中の酸素流の導入は,蒸着温度の減少として亀裂発生を遅らせた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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金属薄膜  ,  酸化物薄膜 

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