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J-GLOBAL ID：202202241319661129   整理番号：22A0324507

中性子を照射したp型Siにおけるアクセプタ除去の原子論的シミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Atomistic simulations of acceptor removal in p-type Si irradiated with neutrons

著者 (8件)： Lopez Pedro (ETSI Telecomunicacion, Paseo de Belen 15, 47011 Valladolid, Spain) ,  Aboy Maria (ETSI Telecomunicacion, Paseo de Belen 15, 47011 Valladolid, Spain) ,  Munoz Irene (ETSI Telecomunicacion, Paseo de Belen 15, 47011 Valladolid, Spain) ,  Santos Ivan (ETSI Telecomunicacion, Paseo de Belen 15, 47011 Valladolid, Spain) ,  Marques Luis A. (ETSI Telecomunicacion, Paseo de Belen 15, 47011 Valladolid, Spain) ,  Fernandez-Martinez Pablo (Centro Nacional de Microelectronica (IMB-CNM, CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain) ,  Ullan Miguel (Centro Nacional de Microelectronica (IMB-CNM, CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain) ,  Pelaz Lourdes (ETSI Telecomunicacion, Paseo de Belen 15, 47011 Valladolid, Spain)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 512  ページ： 42-48  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型Si検出器の有効ドーパント濃度は,アクセプタ除去過程による低フルエンスでの照射フルエンスと共に減少し,検出器性能を低下させ,寿命を短くした。この効果は実験的に特性化され,パラメータ化されたが,その顕微鏡的起源はまだ知られていない。原子シミュレーションを用いて,損傷発生と欠陥ドーパント相互作用のモデリングによる中性子照射におけるアクセプタ除去への洞察を得た。照射中のSiジ-およびトリ-格子間拡散のドーパント失活,照射損傷の不均一性およびウエハ温度上昇に及ぼす影響を解析した。欠陥発生速度を特性化し,関連する欠陥ドーパント相互作用を同定した。アクセプタ除去は,主にB_i対と小さなホウ素-格子間クラスタの形成を通して生じ,それは移動性Si格子間原子の利用可能性によって制限される。不純物(O,C)の存在は,B_iOの生成に有利なB-錯体を修飾するが,除去されたアクセプタの量に限定された効果を持っている。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *アクセプタ ,  照射損傷 ,  相互作用 ,  *中性子 ,  中性子照射 ,  不純物 ,  *計算機シミュレーション ,  *ケイ素 ,  モデリング ,  格子間原子 ,  クラスタ ,  ドーパント ,  はじき出し損傷 ,  昇温 ,  フルエンス
準シソーラス用語： *原子論的シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： アクセプタ除去 ,  B不活性化 ,  P型検出器 ,  中性子照射 ,  変位損傷 ,  原子論的シミュレーション

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 中性子 ,  P型Si ,  アクセプタ ,  原子論的シミュレーション