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J-GLOBAL ID：202202241395566027   整理番号：22A1161620

精密加工表面テクスチャを用いたSi太陽電池のためのポリSi/SiO_x不動態化接触におけるSiO_x層破壊の理解【JST・京大機械翻訳】

Understanding SiO_x Layer Breakup in poly-Si/SiO_x Passivating Contacts for Si Solar Cells Using Precisely Engineered Surface Textures

著者 (10件)： Lima Salles C. (Department of Chemical and Biological Engineering, Colorado School of Mines, Colorado, United States) ,  Lima Salles C. (National Renewable Energy Laboratory, Colorado, United States) ,  Guthrey H. L. (National Renewable Energy Laboratory, Colorado, United States) ,  Kale A. S. (Department of Chemical and Biological Engineering, Colorado School of Mines, Colorado, United States) ,  Nemeth W. (National Renewable Energy Laboratory, Colorado, United States) ,  Page M. (National Renewable Energy Laboratory, Colorado, United States) ,  Young D. L. (National Renewable Energy Laboratory, Colorado, United States) ,  Stradins P. (National Renewable Energy Laboratory, Colorado, United States) ,  Agarwal S. (Department of Chemical and Biological Engineering, Colorado School of Mines, Colorado, United States) ,  Agarwal S. (National Renewable Energy Laboratory, Colorado, United States)
資料名： ACS Applied Energy Materials  (ACS Applied Energy Materials)
巻： 5  号： 3  ページ： 3043-3051  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5032A  ISSN： 2574-0962  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン酸化物(poly-Si/SiO_x)不動態化接触上の多結晶シリコンの接触抵抗は,厚さ≧1.7nmのSiO_xにおけるピンホールの形成に依存する。アルカリ組織化ランダムピラミッドおよび平面表面形態に加えて,反転ピラミッドおよびv溝上にこれらの接触を作製した。SiO_xの熱崩壊は1050と1100°Cのピークアニーリング温度で達成された。1050°CでのSiO_x崩壊は逆ピラミッドの頂点に優先的に生成したピンホールをもたらしたが,1100°Cではそれらの生成はランダムであった。ピンホールの密度は研磨した試料よりも集合組織化した試料で大きかった。化学エッチングと電子ビーム誘起電流(EBIC)の両方を用いてピンホールを可視化し,後者はp-n接合のピンホールのみに敏感であったが,n+-n接合には敏感でなかった。電子ビームにより生成された少数キャリアの収集確率の違いに対する接触極性に基づくEBIC画像におけるこの違いを記した。本研究は,ポリ-Si/SiO_x不動態化接触におけるピンホールの正確な工学を可能にするために,組織形態が利用できることを実証した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： PN接合 ,  接触抵抗 ,  *太陽電池 ,  電子ビーム ,  *表面構造 ,  *ケイ素 ,  *不動態化 ,  酸化ケイ素 ,  可視化 ,  画像 ,  少数キャリア ,  電子線誘起電流 ,  モルフォロジー ,  *ポリシリコン ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： 表面形態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： ポリシリコン ,  接触する接触 ,  ピンホール ,  反転ピラミッド ,  v溝 ,  表面形態 ,  EBIC

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 精密加工 ,  表面テクスチャ ,  Si ,  太陽電池 ,  ポリSi ,  不動態化 ,  破壊 ,  理解