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J-GLOBAL ID：202202241459869221   整理番号：22A1090952

SnO_2膜を安定化するためのAgナノワイヤの低温作製と優先成長機構【JST・京大機械翻訳】

Low-temperature-fabrication and the preferred growth mechanism of Ag nanowires for stabling SnO₂ film

著者 (6件)： Song Juan (School of Materials Science and Engineering, Yancheng Institute of Technology, Yancheng 224051, China) ,  Jiang Cuifeng (School of Materials Science and Engineering, Yancheng Institute of Technology, Yancheng 224051, China) ,  Sun Gang (Xingtai Energy Science and Technology (Yancheng) Co., Ltd., Yancheng 224051, China) ,  Wang Zhanhong (Analysis and Test Center, Yancheng Institute of Technology, Yancheng 224051, China) ,  Yang Zirun (School of Materials Science and Engineering, Yancheng Institute of Technology, Yancheng 224051, China) ,  Wang Ye (School of Materials Science and Engineering, Yancheng Institute of Technology, Yancheng 224051, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 316  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Agナノワイヤ(NWs)の低温製造を,コスト切断と安全性のために導入した。約6時間室温(RT)で核形成し,50~70°Cで成長すると,アスペクト比が1000以上のAgNWsの生成が有利になった。Ag NWの好ましい成長機構は,高密度双晶結晶の双晶面である(220)または(22×√0)面の積層であった。SnO_2透明半導体膜の表面上に調製したままのAg NWsを被覆し,200~300°Cで二層膜を熱処理すると,SnO_2膜の接着性と導電性能は大幅に向上した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 核形成 ,  接着 ,  双晶 ,  *低温 ,  半導体 ,  *銀 ,  アスペクト比 ,  導電性 ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： 粘着性 ,  二重層 ,  高密度 ,  成長メカニズム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 低温 ,  Agナノワイヤ ,  成長機構 ,  半導体 ,  接着

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (7件)： 安定化 ,  Ag ,  ナノワイヤ ,  低温 ,  作製 ,  優先 ,  成長