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J-GLOBAL ID：202202241521924471   整理番号：22A1052326

オプトエレクトロニクス応用のための有機ハロゲン化物ベースの二重ペロブスカイト(CH_3NH_3)_2AgMBr_6(M=Sb,Bi)を研究するためのab-initio法【JST・京大機械翻訳】

Ab-initio method to investigate organic halide based double perovskites (CH₃NH₃)₂AgMBr₆ (M = Sb, Bi) for opto-electronic applications

著者 (7件)： Maqsood Saba (Centre for Advanced Studies in Physics (CASP), GC University, Lahore, 54000, Pakistan) ,  Rahman Altaf Ur (Department of Physics, RIPHAH International University, Lahore Campus, Pakistan) ,  Nawaz M. (Centre for Advanced Studies in Physics (CASP), GC University, Lahore, 54000, Pakistan) ,  Ahmad M. Ashfaq (Department of Physics, COMSATS University Islamabad, Lahore Campus, Pakistan) ,  Manzoor Mumtaz (Department of Physics, RIPHAH International University, Lahore Campus, Pakistan) ,  Noor N.A. (Department of Physics, RIPHAH International University, Lahore Campus, Pakistan) ,  Abdelmohsen Shaimaa A.M. (Physics Department, Faculty of Science, Princess Nourah bint Abdulrahman University, Riyadh 84428, Saudi Arabia)
資料名： Journal of Materials Research and Technology  (Journal of Materials Research and Technology)
巻： 17  ページ： 649-657  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3532A  ISSN： 2238-7854  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 再生可能エネルギーの一次基礎は,過去10年に高度に分析された電気エネルギーの形での光エネルギーの転換である。密度汎関数理論に基づく量子エスプレッソコードを用いて,有機(CH_3NH_3)_2AgMBr_6(M=Sb,Bi)ハライドの機械的,電子的および光学的性質を解明した。交換相関汎関数を処理するために,PBE一般化勾配近似(GGA)を用いて,機械的および光-電子パラメータを実行した。両ハロゲン化物のPugh比とPoisson比の計算結果は,延性の品質を推奨した。さらに,電子および光学特性に関する計算を,正確なバンドギャップを解放するためにGGA+Uを用いて求めた。光電子応用に必要な間接バンドギャップは(CH_3NH_3)_2AgSb/BiCl_6に対して0.1eV/0.88eVと計算された。面白いことに,両ハロゲン化物に対する顕著な吸収係数は,これらが近可視および赤外領域における適切な光電子デバイスである。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 延性 ,  吸収係数 ,  光学的性質 ,  電子 ,  *ハロゲン化物 ,  汎関数 ,  *有機ハロゲン化合物 ,  *オプトエレクトロニクス ,  *ab initio法 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  光電子
準シソーラス用語： 一般化勾配近似 ,  *ダブルペロブスカイト ,  間接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 有機二重ペロブスカイト ,  第一原理シミュレーション ,  弾性パラメータ ,  電子物性 ,  オプトエレクトロニクス応用

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： オプトエレクトロニクス ,  応用 ,  有機ハロゲン化物 ,  二重ペロブスカイト ,  Bi ,  研究