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J-GLOBAL ID：202202241533307937   整理番号：22A0647562

自己支援GaAsナノワイヤ上の分子ビームエピタクシーで成長させた六方晶Ge【JST・京大機械翻訳】

Hexagonal Ge Grown by Molecular Beam Epitaxy on Self-Assisted GaAs Nanowires

著者 (14件)： Dudko Iuliia (Universite Lyon, Ecole Centrale de Lyon, CNRS, INSA Lyon, Universite Claude Bernard Lyon 1, CPE Lyon, INL, France) ,  Dudko Iuliia (School of Engineering, RMIT University, Victoria, Australia) ,  Dudko Iuliia (Functional Materials and Microsystems, Research Group and Micro Nano Research Facility, RMIT University, Victoria, Australia) ,  Dursap Thomas (Universite Lyon, Ecole Centrale de Lyon, CNRS, INSA Lyon, Universite Claude Bernard Lyon 1, CPE Lyon, INL, France) ,  Lamirand Anne D. (Universite Lyon, Ecole Centrale de Lyon, CNRS, INSA Lyon, Universite Claude Bernard Lyon 1, CPE Lyon, INL, France) ,  Botella Claude (Universite Lyon, Ecole Centrale de Lyon, CNRS, INSA Lyon, Universite Claude Bernard Lyon 1, CPE Lyon, INL, France) ,  Regreny Philippe (Universite Lyon, Ecole Centrale de Lyon, CNRS, INSA Lyon, Universite Claude Bernard Lyon 1, CPE Lyon, INL, France) ,  Danescu Alexandre (Universite Lyon, Ecole Centrale de Lyon, CNRS, INSA Lyon, Universite Claude Bernard Lyon 1, CPE Lyon, INL, France) ,  Brottet Solene (Universite Lyon, Ecole Centrale de Lyon, CNRS, INSA Lyon, Universite Claude Bernard Lyon 1, CPE Lyon, INL, France) ,  Bugnet Matthieu (Universite Lyon, CNRS, INSA Lyon, UCBL, MATEIS, France) ,  Walia Sumeet (School of Engineering, RMIT University, Victoria, Australia) ,  Walia Sumeet (Functional Materials and Microsystems, Research Group and Micro Nano Research Facility, RMIT University, Victoria, Australia) ,  Chauvin Nicolas (Universite Lyon, Ecole Centrale de Lyon, CNRS, INSA Lyon, Universite Claude Bernard Lyon 1, CPE Lyon, INL, France) ,  Penuelas Jose (Universite Lyon, Ecole Centrale de Lyon, CNRS, INSA Lyon, Universite Claude Bernard Lyon 1, CPE Lyon, INL, France)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 22  号： 1  ページ： 32-36  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンやゲルマニウムのような六方晶グループIV材料は,フォトニック技術の将来の開発のための顕著な光電子特性を示すことが期待される。しかし,蒸気-液体-固体法内の六方晶グループIV半導体の作製は,触媒として金を使用して得られた。このレターでは,分子線エピタキシーを用いて自己支援GaAsナノワイヤ上の六方晶Geの合成を示した。GaおよびAs分子ビームフラックスの正確な同調により,成長中のGaAs NWの結晶相,立方晶または六方晶を選択した。高い構造品質を有し,可視欠陥のないGeの500nm長六角形セグメントが得られ,Geが走査型透過電子顕微鏡を用いてコアの結晶相を維持することを示した。最後に,X線光電子分光法は,Ge中のAsの強い取り込みを明らかにした。本研究は,シリコン基板上に集積したAuフリーアプローチにおける六方晶Geの最初の成長を実証した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  金 ,  *ガリウム ,  ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  *ヒ素 ,  触媒 ,  *ヒ化ガリウム ,  *分子ビーム ,  立方晶系 ,  *六方晶系 ,  *MBE成長 ,  光電子 ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： 結晶相 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 自己 ,  支援 ,  GaAs ,  ナノワイヤ ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  六方晶 ,  Ge