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J-GLOBAL ID：202202241563774591   整理番号：22A0396703

多経路ルーティングのための多層ナノ電気機械(NEM)メモリスイッチ【JST・京大機械翻訳】

Multi-Layer Nanoelectromechanical (NEM) Memory Switches for Multi-Path Routing

著者 (3件)： Yoon Jisoo (Department of Electronic Engineering, Sogang University, Mapo-gu, Seoul, Republic of Korea) ,  Kwon Hyug su (Department of Electronic Engineering, Sogang University, Mapo-gu, Seoul, Republic of Korea) ,  Choi Woo Young (Department of Electronic Engineering, Sogang University, Mapo-gu, Seoul, Republic of Korea)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 43  号： 1  ページ： 162-165  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： モノリシック3次元(M3D)多層ナノ電気機械(NEM)メモリスイッチを再構成可能マルチパスルーティングのために実験的に実証した。多層NEMメモリスイッチは,高インピーダンス状態を含む不揮発性の方法で独立に作動する異なる金属層で移動機械ビームを持つ。例えば,二重層NEMメモリスイッチは9つの異なるメモリ状態を実現する。n金属層を利用して提案したn層NEMメモリスイッチは,従来の単層NEMメモリスイッチよりも3{({n}-{1}π*>x)高いルーティング柔軟性とn_xより高いチップ密度を示すと予測した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  *電気機械 ,  *経路選定 ,  柔軟性 ,  三次元 ,  多層 ,  単一層 ,  非揮発性
準シソーラス用語： 二重層 ,  *多経路 ,  再構成可能性 ,  マルチパスルーティング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多経路 ,  ルーティング ,  多層 ,  電気機械 ,  NEM