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J-GLOBAL ID：202202241624502964   整理番号：22A0492420

強誘電体ドープHfO_2薄膜に基づくデバイスのオンチップ動作のためのマルチパルスウェイクアップ方式【JST・京大機械翻訳】

A multi-pulse wakeup scheme for on-chip operation of devices based on ferroelectric doped HfO₂ thin films

著者 (3件)： Lancaster S. (NaMLab gGmbH, Nothnitzer Str. 64a, Dresden 01187, Germany) ,  Mikolajick T. (NaMLab gGmbH, Nothnitzer Str. 64a, Dresden 01187, Germany) ,  Slesazeck S. (NaMLab gGmbH, Nothnitzer Str. 64a, Dresden 01187, Germany)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 2  ページ： 022901-022901-5  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電性薄いHf_0.5Zr_0.5O_2膜の伴流スキームを,電圧振幅がほぼ等しい多重短パルスを用いた段階的スイッチングアプローチに基づいて示した。これは,同一のパルスを有する強誘電体トンネル接合(FTJs)のような強誘電体デバイスのオンチップウェークアップとスイッチング動作を可能にする。膜分極を徐々に切り替える交互パルス列を用いた伴流の後,FTJ動作は,抗電圧より大きい振幅のバイポーラパルスで,”正常”後流の後と同様に効果的であることを実証した。この場合,ウェークアップ中に印加した電圧は26%減少し,必要な動作電力を低下させた。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 伴流 ,  *強誘電体 ,  スイッチング ,  電圧 ,  *薄膜 ,  分極 ,  電力 ,  強誘電性 ,  *ドーピング ,  トンネル接合 ,  多重化 ,  パルス列 ,  *パルス
準シソーラス用語： *オンチップ ,  強誘電体デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強誘電体 ,  ドープ ,  薄膜 ,  オンチップ