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J-GLOBAL ID：202202241814050628   整理番号：22A0444648

GaおよびPドープアームチェアグラフェンナノリボンにおけるバンドギャップ工学:DFT解析【JST・京大機械翻訳】

Bandgap engineering in Ga and P doped armchair graphene nanoribbons: DFT analysis

著者 (3件)： Agrawal Sonal (Advanced Material Research Group CNT Lab, ABV-Indian Institute of Information Technology and Management Gwalior, 474015, India) ,  Srivastava Anurag (Advanced Material Research Group CNT Lab, ABV-Indian Institute of Information Technology and Management Gwalior, 474015, India) ,  Kaushal Gaurav (Advanced Material Research Group CNT Lab, ABV-Indian Institute of Information Technology and Management Gwalior, 474015, India)
資料名： Materials Today: Proceedings  (Materials Today: Proceedings)
巻： 48  号： P3  ページ： 647-649  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3531A  ISSN： 2214-7853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,非平衡Green関数(NEGF)形式と組み合わせた平面波密度汎関数理論(DFT)により行われた計算について,2つの異なるドーピング濃度,すなわち,6.25%と12.5%を有する,リン(P)(N型)とガリウム(Ga)(P型)でドープしたアームチェアグラフェンナノリボン(AGNR)の電子と構造特性を分析するために,研究を報告する。(3,0)プリスチンAGNRは1.06eVのバンドギャップを示すことが観察された。一方,PのドーピングとGaはAGNRの金属性を誘起し,ドーピング濃度電流が増加するとGaドープAGNRで直線的に増加する一方,Pの濃度が増加するとPドープAGNRでは電流が減少するが,AGNRは金属のままである。6.25%のドーピング濃度を有するGNRsは電流の直線的な上昇による相互接続応用として使用でき,他の対応物はトランジスタの電極で使用できる。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  トランジスタ ,  *ガリウム ,  相互接続 ,  ドーピング ,  平面波 ,  構造特性 ,  金属性 ,  密度汎関数法 ,  *バンドギャップ
準シソーラス用語： 非平衡Green関数 ,  *グラフェンナノリボン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (2件)： グラフェンナノリボン ,  DFT解析

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ga ,  バンドギャップ ,  工学 ,  DFT ,  解析