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J-GLOBAL ID：202202241855201110   整理番号：22A0430788

Ni(100)上のL-アスパラギン酸の二重分解経路【JST・京大機械翻訳】

Dual decomposition pathways for L-aspartic acid on Ni(100)

著者 (3件)： Radetic Michael (Department of Chemical Engineering, Carnegie Mellon University, 5000 Forbes Ave., Pittsburgh, PA 15213, United States) ,  Gellman Andrew J. (Department of Chemical Engineering, Carnegie Mellon University, 5000 Forbes Ave., Pittsburgh, PA 15213, United States) ,  Gellman Andrew J. (W.E. Scott Institute for Energy Innovation, Carnegie Mellon University, 5000 Forbes Ave., Pittsburgh, PA 15213, United States)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 717  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ni表面上のアスパラギン酸(Asp,HO_2CCH(NH_2)CH_2CO_2H)の熱分解は,Cu表面よりもより複雑な経路により生じ,そこで,それはアスパラギン酸種を介して分解してCO_2,H_2,およびCH_3C≡Nを化学量論的に生成する。Cu上で観察されたこれら3つの生成物に加えて,Ni上の分解機構はCO,H_2OおよびHC≡Nを生成する。ここでは,X線光電子分光法によるNi(100)上のAsp分解機構,及び種々の吸着アスパラギン酸イソトポマ(L-Asp,1-13C-L-Asp,4-13C-L-Asp,1,4-13C_2-L-Asp,3,4-13C_2-L-Asp,1,2,3,4-13C_4-15N-L-Asp,及びD_7-L-Asp)の温度プログラム反応スペクトルにより,Asp分解機構を調べた。これらの同位体標識実験は,脱着生成物に見られる炭素と窒素原子の吸着アスパラギン酸内の位置特異的起源への洞察を提供する。低被覆率では,吸着したアスパラギン酸は,主にCOを生じるケトンおよび/または無水物中間体への分子間および分子内縮合/脱水を受ける。より高い被覆率では,分解過程はCu表面で観察されるものと類似しており,吸着アスパラギン酸の内部から末端カルボキシル基とCH_3C≡Nから大部分がCO_2を生成した。高被覆率でのCOとH_2O生成物の連続存在は,全ての被覆率にわたって縮合/脱水反応の持続性を示唆した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸着 ,  脱水 ,  脱着 ,  熱分解 ,  炭素 ,  銅 ,  *ニッケル ,  ケトン ,  スペクトル ,  化学量論 ,  X線光電子分光法 ,  中間体
準シソーラス用語： 無水物 ,  同位体標識 ,  分解機構 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： アスパラギン酸 ,  分解 ,  反応速度論 ,  機構 ,  表面化学 ,  アイソトポマ

分類 (3件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  界面化学一般  (CB12010J)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ni ,  L-アスパラギン酸 ,  分解経路