文献

J-GLOBAL ID：202202241930432246   整理番号：22A0473093

反強磁性半導体GdCrO_3における磁気熱量,電子,磁気,光学および熱電特性 モンテカルロシミュレーションと密度汎関数理論【JST・京大機械翻訳】

Magnetocaloric, electronic, magnetic, optical and thermoelectric properties in antiferromagnetic semiconductor GdCrO₃: Monte Carlo simulation and density functional theory

著者 (3件)： Kadim G. (Laboratory of Solid Physics, Faculty of Sciences Dhar El Mahraz, Sidi Mohamed Ben Abdellah University, BP 1796 Fez, Morocco) ,  Masrour R. (Laboratory of Solid Physics, Faculty of Sciences Dhar El Mahraz, Sidi Mohamed Ben Abdellah University, BP 1796 Fez, Morocco) ,  Jabar A. (Laboratory of Solid Physics, Faculty of Sciences Dhar El Mahraz, Sidi Mohamed Ben Abdellah University, BP 1796 Fez, Morocco)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 581  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GdCrO_3の磁気熱量,電子,光学,熱電および磁気特性について密度汎関数理論およびモンテカルロシミュレーションを行った。状態密度図の密度を考察した。磁気配置GdとCr原子の間で計算した交換エネルギーの値を計算した。GdCrO_3は半導体特性と反強磁性挙動を示した。誘電関数,吸収および反射率も調べた。熱電応答を,BoltzTraPコードを用いて,電気伝導率,熱伝導率およびシーブック係数(S)を計算することにより評価した。CrとGdの磁気モーメントを計算した。Neel温度を得た。この系ではスピン再配向遷移の存在も観測された。最大磁気エントロピー変化と相対冷却電力は,h=5Tで,それぞれ,2.64J.K-1kg-1と25J.kg-1であった。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁気モーメント ,  電気伝導率 ,  熱伝導率 ,  *反強磁性 ,  反射率 ,  *半導体 ,  *ガドリニウム ,  *クロム ,  *磁気 ,  状態密度 ,  誘電関数 ,  *強磁性半導体 ,  スピン再配列 ,  *密度汎関数法
準シソーラス用語： *モンテカルロシミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： B_2.GdCrO_3ペロブスカイト ,  B2 電子特性 ,  B2 光学特性 ,  熱電特性B_2 磁気および磁気熱量特性 ,  A1.モンテカルロシミュレーション ,  A1.DFT計算

分類 (3件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 強磁性半導体 ,  磁気 ,  熱量 ,  電子 ,  光学 ,  熱電特性 ,  モンテカルロシミュレーション ,  密度汎関数理論