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J-GLOBAL ID：202202242050298094   整理番号：22A0654092

多層グラフェンの超熱酸化の原子的多格子速度論モンテカルロ(KMC)モデリング【JST・京大機械翻訳】

Atomistic Multi-Lattice Kinetic Monte Carlo (KMC) Modeling of Hyperthermal Oxidation of Multi-Layer Graphene

著者 (2件)： Edward Sharon (University of Illinois at Urbana-Champaign) ,  Johnson Harley (University of Illinois at Urbana-Champaign)
資料名： AIAA Conference Proceedings / Meeting Papers  (AIAA Conference Proceedings / Meeting Papers)
巻： 2022  号： AIAA SCITECH 2022 Forum  ページ： 1610  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0236B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子スケールの多重格子動力学モンテカルロ(KMC)モデルを開発して,多層グラフェンにおける欠陥発生を理解し,表面上のエポキシ基の吸着と拡散によって刺激した。Sunらは,エポキシ基に対する低エネルギー障壁(0.5eVから0.6eV)反応経路を報告し,ラクトンエーテルやエーテル-ラクトンエーテルのような表面基の形成により点欠陥を形成する。このモデルの重要な特徴は,欠陥自由表面から欠陥を開始するためにこのアプローチを用いることである。これらの点欠陥の拡大を,欠陥の端からCO分子を生成するいくつかの反応を通してシミュレートした。Schmittは種々のタイプの欠陥エッジサイトからCOの生成のためにいくつかの反応を収集し,リストアップし,これらの反応の大多数を本研究で採用した。著者らのKMCモデルに基づくシミュレーションは,温度と圧力に依存する孔食プロセスの詳細を明らかにした。著者らのシミュレーションは,温度が1300Kから2000Kに上昇するにつれて,円形から分岐への欠陥形状の変化を明らかにした。また,温度による炭素除去率の増加は,圧力による炭素除去率の増加よりも顕著であり,各温度および圧力組合せに対するこれらの速度を報告した。本研究では,欠陥形成におけるエポキシ拡散の役割も解明した。欠陥の端でのCO形成におけるエポキシ基の寄与が,高温におけるエポキシ吸着と拡散の増加のため,温度上昇につれて増加することを見出した。原子論的KMCモデルはラップトップコンピュータ上の物理的シミュレーション時間のミリ秒を容易に到達でき,従って,様々な他の原子論的反応が多層グラフェンにおける欠陥形成にどのように影響するかを理解するためのツールとして効率的に使用できる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *モンテカルロ法 ,  拡散 ,  吸着 ,  *原子 ,  高温 ,  シミュレーション ,  点欠陥 ,  炭素 ,  エーテル ,  ラクトン ,  *モデリング ,  モデル ,  反応経路 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： エポキシ基 ,  *多層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 多層グラフェン ,  熱酸化 ,  原子 ,  格子 ,  速度論 ,  モンテカルロ ,  モデリング