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J-GLOBAL ID:202202242265046888   整理番号:22A0928868

マグネトロンスパッタリング炭化ケイ素薄膜の膜特性に及ぼす堆積時間とRFパワーの影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of deposition time and RF power on the film characteristics of magnetron sputtered silicon carbide thin films
著者 (7件):
資料名:
巻: 52  号: P5  ページ: 2432-2438  発行年: 2022年 
JST資料番号: W3531A  ISSN: 2214-7853  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,蒸着時間とRFパワーが,高周波(RF)マグネトロンスパッタリングによりアルミニウム基板上に蒸着した炭化ケイ素(SiC)薄膜の微細構造と特性に大きく影響することを示した。40,60および75分の3つの異なる堆積時間と90および120WのRF出力を考慮した。薄膜の表面形態を光学プロフィルメータと走査電子顕微鏡(SEM)を用いて調べた。Vickers硬さ試験も用いて膜の硬度を測定した。粒径測定は,堆積時間とRF出力の増加が大きなSiC結晶粒をもたらすことを明らかにした。さらに,表面粗さも堆積時間と共に増加したが,RFパワーが90から120Wに増加したとき,粗さの減少が観察された。SiC薄膜の硬度は,蒸着時間とRF電力の両方によって一般的に増加し,そのパワーは,膜硬度に,より顕著な影響を及ぼした。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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