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J-GLOBAL ID：202202242332154213   整理番号：22A1089508

炭化ケイ素-水界面での水熱および放射線分解反応からのガス生産【JST・京大機械翻訳】

Gas production from hydrothermal and radiolytic reactions at silicon carbide-water interfaces

著者 (5件)： Shi Pengfei (College of Materials Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 211100, China) ,  Li Qiuhao (College of Materials Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 211100, China) ,  Wang Yunlong (College of Materials Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 211100, China) ,  Weng Hanqin (School of Nuclear Science and Technology, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China) ,  Ma Jun (College of Materials Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 211100, China)
資料名： Journal of Nuclear Materials  (Journal of Nuclear Materials)
巻： 563  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0148A  ISSN： 0022-3115  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,高温および60Coγ線照射を受けたSiC懸濁液における表面反応を調べた。300°Cと10MPaでの水によるpH依存SiC溶解は,実質的なCH_4を生成するが,他の生成物H_2の生成は反応時間によって減少することを初めて観察した。一方,水放射線分解からの連続H_2生成は,界面電荷移動過程による界面の存在により大きく増強された。両反応は,250nmから50nmのSiC粒子サイズの減少と3%から7%までの重量パーセントの上昇と関連する活性表面接触の増大によって加速される。XPS,FTIR,SEMおよびXRDデータは,γ線照射による微細構造変化はほとんどなかったが,水熱反応中の顕著な腐食表面を示した。研究は,ガス放出が,SiCをLWR燃料集合体に適用するとき考慮すべき重要因子であることを指摘した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *界面 ,  γ線照射 ,  懸濁液 ,  高温 ,  腐食 ,  溶解 ,  *放射線分解 ,  *炭化ケイ素 ,  表面反応 ,  燃料集合体 ,  *採ガス ,  FTIR分光法
準シソーラス用語： 水熱反応 ,  界面電荷 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 原子力安全性 ,  炭化ケイ素 ,  フリーラジカル ,  水熱反応

分類 (1件)： 原子炉の構成要素と原子炉材料一般  (MD04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 炭化ケイ素 ,  水 ,  界面 ,  放射線分解反応