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J-GLOBAL ID:202202242662332021   整理番号:22A0434941

Eu:Bi_2WO_6/CdSナノ構造の有機汚染物質のための合理的設計,製作,光学特性および高効率可視光光触媒分解性能【JST・京大機械翻訳】

Rational design, fabrication, optical properties and high-efficiency visible-light photocatalytic degradation performance for organic pollutants of Eu:Bi2WO6/CdS nanostructures
著者 (11件):
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巻: 48  号:ページ: 4965-4976  発行年: 2022年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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過去数年間,ユニークな環境浄化とエネルギー変換能力を示す半導体材料(特にタングステン酸ビスマス)は,環境汚染とエネルギー不足の問題によって影響を受ける大きな注目を喚起し,一方,その適用は,高いキャリア再結合速度と不十分な分解効率の問題によって制限される。本研究では,異なる濃度のEuイオンを含むEu:Bi_2WO_6ナノ構造を化学溶液法で合成し,CdSをEu:Bi_2WO_6/CdS複合材料を合成するためにEu:Bi_2WO_6ナノ構造のその場エピタキシャル表面上に生成した。Eu:Bi_2WO_6/CdSナノ構造により示される結晶構造,化学組成,局所構造,光学特性および可視光光触媒特性に及ぼすEuドーピング濃度の影響をより具体的に研究し,Eu:Bi_2WO_6/CdSナノ構造により示される光学的および光触媒性能の改善機構に対するEuドーピング挙動を明らかにした。約390nmのロバストPL発光ピークとほぼ450nmの弱い発光ピークは,それぞれBi_2WO_6/CdSナノ構造の励起子発光と欠陥状態に起因した。機構洞察から示されるように,Eu3+の合理的な導入は光触媒のバンドギャップを変え,エピタキシャルCdSはBi_2WO_6/CdS中の電子と正孔の再結合確率を減少でき,光触媒活性を改善した。本研究は,多くの分野(例えば,エネルギーおよび環境保護)における応用のための原子規模の複雑な構造の合理的説明およびより良い理解のための新たな機会を提供した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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無機化合物のルミネセンス  ,  光化学一般 

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