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J-GLOBAL ID：202202242982763871   整理番号：22A0974916

MoS_2/hBN/WS_2ヘテロ構造における欠陥加速エネルギー移動のイメージング【JST・京大機械翻訳】

Imaging of Defect-Accelerated Energy Transfer in MoS₂/hBN/WS₂ Heterostructures

著者 (5件)： Wang Jiangcai (State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, China) ,  Liu Huan (State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, China) ,  Hu Xiangmin (State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, China) ,  Liu Yuanshuang (State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, China) ,  Liu Dameng (State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 14  号： 6  ページ： 8521-8526  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エンジニアリングエネルギー移動(ET)は,新しいオプトエレクトロニックデバイスの探査において重要な役割を果たす。効率的なETは,誘電特性,距離および積層角のような異なる戦略を用いて合理的に制御された。しかし,これらの戦略は規制において限定された自由度を示す。欠陥は欠陥のタイプや密度のような自由度をより多く提供できる。ここでは,原子スケールの欠陥加速ETを,蛍光寿命イメージング顕微鏡によりMoS_2/hBN/WS_2ヘテロ構造で直接観察した。酸素プラズマ照射時間を制御して,異なる密度の硫黄空孔を導入した。本研究は,欠陥密度を正確に制御することによって,ET速度が1.25から6.58ns-1に増加できることを示した。また,対応するET時間は0.80から0.15nsに短縮され,ETプロセスにおけるより中性の励起子の関与に起因した。これらの中性励起子はMoS_2中のトリオン励起子から変換され,硫黄空孔での酸素置換によって支援された。著者らの洞察は,ETプロセスにおける欠陥の役割をよりよく理解するだけでなく,van der Waalsヘテロ構造における新しいオプトエレクトロニックデバイスのさらなる探索のためにETをエンジニアする新しい方法を提供する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エネルギー移動 ,  密度 ,  励起子 ,  欠陥 ,  酸素 ,  誘電性 ,  *画像処理 ,  硫黄 ,  自由度 ,  欠陥密度
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  照射時間 ,  酸素プラズマ ,  原子スケール ,  光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： van der Waals heterostructures ,  excitons ,  defects ,  energy transfer ,  fluorescence lifetime imaging microscopy

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： ヘテロ構造 ,  欠陥 ,  加速 ,  エネルギー移動 ,  イメージング