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J-GLOBAL ID:202202243051172627   整理番号:22A0434908

光起電力応用のためのパルスレーザ蒸着Bi_2O_3膜を有するCドープTiO_2ナノチューブ【JST・京大機械翻訳】

C-doped TiO2 nanotubes with pulsed laser deposited Bi2O3 films for photovoltaic application
著者 (12件):
資料名:
巻: 48  号:ページ: 4649-4657  発行年: 2022年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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陽極酸化を用いて,F-SnO_2ガラス上にナノチューブTiO_2光アノードを得た。続くCH_4雰囲気中でのアニーリングはCドーピングを促進し,TiO_2ナノチューブの結晶性を改善した。パルスレーザー蒸着を適用して,Bi_2O_3でナノチューブを被覆し,正孔輸送材料とした。ドープ試料のX線光電子分光分析は,非ドープ試料(空気中でアニール)で観察されたものと比較して,より低い結合エネルギーに向けて価電子帯の最大位置のシフトを明らかにした。ドーピングは吸収端を567nmにシフトすることにより吸収に正に影響した。照明下のI-V測定は,TiO_2のCドーピングが吸光度結果に従って電流密度を増加させることを示した。最高の開放電圧は,300°Cで堆積したBi_2O_3層を有するサンプルに対して到達し,p-n接合の良好な品質,従ってBi_2O_3とTiO_2の間の接触を示した。このin situアニーリングは,Bi_2O_3とTiO_2の間の密接な接触の形成を提供し,これはアニーリングなしまたはポストアニーリングで得られた接触と比較して,より速い電荷輸送を可能にした。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
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セラミック・磁器の性質  ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  ,  光化学一般  ,  絶縁材料 
タイトルに関連する用語 (5件):
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