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J-GLOBAL ID：202202243181610612   整理番号：22A0976670

MOFの光学バンドギャップの決定【JST・京大機械翻訳】

Determining Optical Band Gaps of MOFs

著者 (5件)： Fabrizio Kevin (Department of Chemistry and Biochemistry, Material Science Institute, University of Oregon, Oregon, United States) ,  Le Khoa N. (Department of Chemistry and Biochemistry, Material Science Institute, University of Oregon, Oregon, United States) ,  Andreeva Anastasia B. (Department of Chemistry and Biochemistry, Material Science Institute, University of Oregon, Oregon, United States) ,  Hendon Christopher H. (Department of Chemistry and Biochemistry, Material Science Institute, University of Oregon, Oregon, United States) ,  Brozek Carl K. (Department of Chemistry and Biochemistry, Material Science Institute, University of Oregon, Oregon, United States)
資料名： ACS Materials Letters  (ACS Materials Letters)
巻： 4  号： 3  ページ： 457-463  発行年： 2022年 
JST資料番号： W6388A  ISSN： 2639-4979  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOFsへの光学バンドギャップの帰属は,それらの光学的,電子的,および反応性特性を理解する上で最も重要であるが,文献報告は,同じMOFでさえ広い範囲の値を生み出している。MOF電子構造の分子的性質にもかかわらず,実験的帰属はTauc分析,半導体に適用した方法である。ここでは,一般的なMOFの光学バンドギャップを報告し,Gaussフィッティングが正確なギャップエネルギーを割り当てるのに適切であることを示した。さらに,DFTシミュレーションでこの主張を支持し,基底状態ハイブリッドGGAから光学バンドギャップを推定するための信頼できる方法を提供した。Tauc分析を必要とするMOFsは,典型的なカルボキシラート系MOFsに対して珍しい重複光学遷移と,狭いギャップ半導体に対するより多くのアキンを示す。まとめると,これらの結果はMOF光学バンドギャップを割り当てるための簡単なロードマップを提供する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 基底状態 ,  シミュレーション ,  電子構造 ,  電子遷移 ,  半導体 ,  実験 ,  *光学ギャップ
準シソーラス用語： 光学遷移 ,  ロードマップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (2件)： MOF ,  光学バンドギャップ