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J-GLOBAL ID：202202243183909421   整理番号：22A0635984

15族元素からなるグラフェン様二次元単分子層のエッジ安定性,性質および成長速度論【JST・京大機械翻訳】

Edge stabilities, properties and growth kinetics of graphene-like two dimensional monolayers composed with Group 15 elements

著者 (3件)： Zhao Ruiqi (Henan Key Laboratory of Materials on Deep-Earth Engineering, School of Materials Science and Engineering, Henan Polytechnic University, Henan 454003, China. [e-mail]) ,  Wei Xue ,  Zhu Hongxia
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 24  号： 5  ページ： 3348-3356  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： β-構造グループ15(β-G15)元素から成るグラフェン様二次元(2D)単分子層は,それらの固有バンドギャップ,熱力学的安定性および高い移動度のために大きな注目を集めている。グラフェンとは異なって,1.24Åから1.65Åの範囲の振幅を有する座屈がβ-G15膜のz方向に沿って存在した。成長挙動およびこのような座屈の関連する影響を学ぶため,ここでは,β相P,As,SbおよびBiをそれぞれ構築した単層膜のエッジ安定性に関する系統的研究を行った。著者らの理論的結果は,自立膜に対して,ダングリング原子を有するジグザグエッジが,裸のP,AsおよびSbに対して最も安定したものであり,そして,元のACエッジは,Biに対して最も安定したものであり,一方,エッジが水素原子で終端されるならば,元のジグザグエッジは,すべての膜に対して最も安定したものとなり,両方とも,平衡成長条件下で,六角形フレークをもたらした。座屈は自立膜のエッジ安定性に明らかな影響を及ぼさず,一方,下地金属基板を考慮した場合において重要な役割をはたす。このような影響は,低/上部β-G15原子と下層基板の間の電荷移動差に起因し,最終的に2Dβ-G15膜の成長機構と形態を決定する。詳細な成長速度と特性を第一原理結果に基づいて議論した。これらの基本的原理の理解は,β-G15膜および他の2D材料の合成を導くための有用な情報を提供するはずである。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  原子 ,  電荷移動 ,  アンチモン ,  ビスマス ,  *単分子層 ,  β相 ,  *二次元 ,  下層 ,  *成長速度 ,  バンドギャップ ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 金属基板 ,  水素原子 ,  単層膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  物理化学一般その他  (CB01030T) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 元素 ,  グラフェン ,  単分子層 ,  エッジ ,  安定性 ,  性質 ,  成長速度論