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J-GLOBAL ID：202202243296676540   整理番号：22A1073014

積層型CMOSイメージセンサを進化させるプロセス技術

3D Stacking Process Technologies for Advanced CMOS Image Sensors

著者 (1件)： 岩元勇人 (ソニーセミコンダクタソリューションズ)
資料名： Symposium on Microjoining and Assembly Technology in Electronics  (Symposium on Microjoining and Assembly Technology in Electronics)
巻： 28th  ページ： 271-272  発行年： 2022年02月01日 
JST資料番号： L2496A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・半導体イメージセンサはスマートフォン向けカメラなどに使用されており,ソニーでは,2008年から裏面照射型CMOSイメージセンサ,2012年から積層型CMOSイメージセンサを開発・販売。
・本稿では,積層型CMOSイメージセンサの基礎技術になった裏面照射型CMOSイメージセンサの概要,および積層型CMOSイメージセンサのTSV接続技術,Cu-Cu接続技術,今後の展望について紹介。
・Cu-Cu接続は,上層のセンサ画素と下層のロジック回路双方の接続面(積層面)に形成したCu接続端子を用いて,積層と電気的接続を同時に行うことが特徴。
・2019年には高密度にCu-Cu接続した短波長赤外イメージセンサを開発。

シソーラス用語： イメージセンサ ,  *積層構造 ,  バイアホール ,  *高密度実装 ,  接続 ,  銅 ,  端子 ,  撮像 ,  電子技術 ,  半導体チップ
準シソーラス用語： *CMOS型イメージセンサ ,  裏面照射 ,  技術動向 ,  TSV【配線】 ,  赤外イメージング ,  三次元積層化技術

分類 (2件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： CMOSイメージセンサ ,  進化 ,  プロセス