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J-GLOBAL ID:202202243387347554   整理番号:22A0100976

広いスペクトル応答を有する紫外可視光検出器用のバンドギャップ調整可能なAl_1-xIn_xN膜【JST・京大機械翻訳】

Bandgap tunable Al1-x In x N films for ultraviolet-visible photodetectors with wide spectral response
著者 (7件):
資料名:
巻: 48  号:ページ: 2802-2810  発行年: 2022年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Al_1-xIn_xN膜は,バンドギャップを広い範囲で調整することを可能にし,特に紫外-可視および波長選択的光検出において,オプトエレクトロニクス応用に対して魅力的である。ここでは,調整可能なバンドギャップを有する単相Al_1-xIn_xN膜を,十分に設計された高周波(RF)マグネトロンスパッタリング法により合成した。AlターゲットにInシートを配置することにより,Al_1-xIn_xN膜のAlとIn組成を,ターゲット上のRF電力を変えるだけで制御できた。RF電力を100から300Wに増加させると,Al_1-xIn_xN膜のIn組成(x値)は0.94から0.34に調整できた。従って,バンドギャップは2.20から2.95eVに調整される。重要なことに,Al_1-xIn_xN膜の光応答波長は,x値を上げると,UVから可視光まで広がった。Al_1-xIn_xN膜光検出器の光応答性は,365nm,532nm,および650nm照明の下で,それぞれ0.0124mA/W(x=0.34),0.118mA/W(x=0.52),0.126mA/W(x=0.67)であった。対応する応答時間は,それぞれ2.37秒,1.98秒および1.39秒であった。本研究で提案したAl_1-xIn_xN膜の合成戦略は,半導体バンドギャップ調整と光電子デバイスの波長選択検出に対する刺激的な機会を開くであろう。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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セラミック・磁器の性質  ,  酸化物薄膜  ,  無機化合物のルミネセンス 
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