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J-GLOBAL ID：202202243463990295   整理番号：22A1156892

SrTiO_3で修飾した(Pb,Sm,La)(Zr,Sn,Ti)O_3反強誘電性セラミックスのエネルギー貯蔵特性【JST・京大機械翻訳】

Energy storage properties of (Pb, Sm, La)(Zr, Sn, Ti)O-3 antiferroelectric ceramics with SrTiO₃ modified

著者 (11件)： Chen Hong (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Chen Hong (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Chen Hongwei (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Chen Hongwei (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Gao Libin (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Gao Libin (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Zhao Jinyu (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Zhao Jinyu (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Wang Jianming (Chengdu Aerospace Communication Device Company Limited, Chengdu, China) ,  Zhang Jihua (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Zhang Jihua (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 33  号： 10  ページ： 7718-7727  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,厚膜反強誘電性セラミック(1-x)(Pb_0.94La_0.02Sm_0.02)(Zr_0.675Sn_0.285Ti_0.04)O_3-xSrTiO_3,x=0,0.05,0.1,0.15,0.2,0.3,0.4]を,固相焼結とテープキャスティング法によって調製した。PSLZSTセラミックスの微細構造,誘電特性,およびエネルギー貯蔵特性に及ぼすSrTiO_3添加物の影響を調べた。純粋なPSLZSTセラミックの安定相は直交ペロブスカイト相である。しかし,x=0.05のとき,安定相は正方晶ペロブスカイト相であった。x≧0.1のセラミックは立方晶ペロブスカイト構造である。PSLZST-SrTiO_3セラミックの結晶粒分布は,SrTiO_3濃度の増加と共により均一になった。(1-x)PSLZST-xSrTiO_3セラミックのP-E曲線は,典型的な反強誘電性曲線からリラクサ強誘電性に徐々に変化した。SrTiO_3のドーピングはPSLZST反強誘電性セラミックのエネルギー貯蔵効率を改善する有効な手段である。エネルギー貯蔵効率は非ドープPSLZST試料で74%であり,一方,SrTiO_3改質PSLZSTセラミック試料のエネルギー貯蔵効率は80%以上であった。最大エネルギー貯蔵効率はx=0.4のとき94.6%に達することができる。これは,(1-x)PSLZST-xSrTiO_3セラミックがパルスパワー技術の応用に適していることを示した。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 焼結 ,  *セラミック ,  *誘電性 ,  *強誘電性 ,  *反強誘電性 ,  ドーピング ,  結晶粒 ,  立方晶系 ,  正方晶系 ,  厚膜 ,  直交性 ,  リラクサ
準シソーラス用語： ペロブスカイト型構造 ,  テープ成形 ,  *強誘電体セラミック ,  固相焼結 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (10件)： 修飾 ,  Pb ,  Sm ,  La ,  Zr ,  Sn ,  Ti ,  反強誘電性 ,  セラミックス ,  エネルギー貯蔵