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J-GLOBAL ID：202202243679230171   整理番号：22A0958717

MLC3-D NANDメモリの読取雑音に対する総電離線量効果【JST・京大機械翻訳】

Total Ionizing Dose Effects on Read Noise of MLC 3-D NAND Memories

著者 (5件)： Surendranathan Umeshwarnath (Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Alabama in Huntsville, Huntsville, AL, USA) ,  Wasiolek Maryla (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Hattar Khalid (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Fleetwood Daniel M. (Department of Electrical and Computer Engineering, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Ray Biswajit (Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Alabama in Huntsville, Huntsville, AL, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 69  号： 3  ページ： 321-326  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,読取操作の間の商用マルチレベルセル(MLC)3-D NANDメモリ技術のノイズ特性に及ぼす総イオン化線量(TID)効果を分析する。チップをTIDの100krad(Si)までCo-60γ線源に曝露した。照射チップ中の雑音のあるセルの数はTIDと共に増加することを見出した。Bit-フリップノイズは,プログラムされた細胞と比較して,照射中の消去状態の細胞に対してより優勢であった。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  *雑音 ,  γ線源 ,  雑音特性 ,  *放射線量 ,  電離放射線
準シソーラス用語： *NAND ,  *総電離線量 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： NAND ,  読取 ,  雑音 ,  総電離線量