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J-GLOBAL ID：202202243910577297   整理番号：22A0983532

相工学と表面不動態化による準2Dペロブスカイト膜からの低閾値の増幅自然放出【JST・京大機械翻訳】

Amplified Spontaneous Emission with a Low Threshold from Quasi-2D Perovskite Films via Phase Engineering and Surface Passivation

著者 (18件)： Li Jingzhen (Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Li Jingzhen (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China) ,  Zhang Ling (Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Zhang Ling (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China) ,  Chu Zema (Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Chu Zema (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China) ,  Dong Chenhao (School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, P. R. China) ,  Jiang Ji (Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Jiang Ji (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China) ,  Yin Zhigang (Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Yin Zhigang (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China) ,  You Jingbi (Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, P. R. China) ,  You Jingbi (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China) ,  Wu Jinliang (Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Wu Jinliang (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China) ,  Lan Wei (School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, P. R. China) ,  Zhang Xingwang (Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Zhang Xingwang (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China)
資料名： Advanced Optical Materials  (Advanced Optical Materials)
巻： 10  号： 6  ページ： e2102563  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2486A  ISSN： 2195-1071  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液処理準2D Ruddlesden-Popperペロブスカイトは,それらの優れた光電子特性と固有の安定性のために,レーザ応用における有望な光利得媒質として考えられている。しかし,低閾値と高光学利得を有するレーザのための準2Dペロブスカイトの開発は3Dペロブスカイトの背後に遅れている。本研究では,準2D PEA_2(CsPbBr_3)_n-1PbBr_4薄膜の相成分と表面形態を制御する反溶媒処理戦略を提案した。さらに,ペロブスカイト膜の表面欠陥を低減し,非放射再結合を抑制するため,追加のポリ(メタクリル酸メチル)被覆を導入した。位相工学と表面不動態化により,優れた増幅自然放出(ASE)が11.7μJcm-2の低い閾値と622cm-1の高い正味モデル利得で得られた。さらに,800nmのフェムト秒レーザ励起の下で,2光子励起ASEも,7.2mJcm-2の低い閾値で首尾よく観測された。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *閾値 ,  薄膜 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  被覆 ,  *不動態化 ,  レーザ応用 ,  利得 ,  位相 ,  *二次元 ,  *自然放出 ,  三次元 ,  レーザ励起
準シソーラス用語： 貧溶媒 ,  表面形態 ,  利得媒質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 増幅された自然放出 ,  反溶媒処理 ,  不動態化 ,  準2Dペロブスカイト

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 工学 ,  表面不動態化 ,  2D ,  ペロブスカイト ,  閾値 ,  増幅 ,  自然放出