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J-GLOBAL ID：202202244016663340   整理番号：22A0975148

自立横方向ヘテロ気泡のチップ増強光ルミネセンス【JST・京大機械翻訳】

Tip-Enhanced Photoluminescence of Freestanding Lateral Heterobubbles

著者 (9件)： Albagami Abdullah (Department of Physics, University of South Florida, Florida, United States) ,  Albagami Abdullah (Department of Physics, King Saud University, Kingdom of Saudi Arabia) ,  Ambardar Sharad (Department of Medical Engineering, University of South Florida, Florida, United States) ,  Hrim Hana (Department of Physics, University of South Florida, Florida, United States) ,  Sahoo Prasana K. (Materials Science Centre, India Institute of Technology Kharagpur, West Bengal, India) ,  Emirov Yusuf (Nanotechnology Research and Education Center, University of South Florida, Florida, United States) ,  Gutierrez Humberto R. (Department of Physics, University of South Florida, Florida, United States) ,  Voronine Dmitri V. (Department of Physics, University of South Florida, Florida, United States) ,  Voronine Dmitri V. (Department of Medical Engineering, University of South Florida, Florida, United States)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 14  号： 8  ページ： 11006-11015  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)半導体材料は,フレキシブルオプトエレクトロニクス,ナノフォトニクス,および光学および電子特性の幅広い同調性に基づくセンシングにおいて有望な用途を有する。2Dナノバブルは,情報処理のための局所エミッタとして使用できる局所化歪により,励起子漏斗を形成する。それらのナノスケール光学キャラクタリゼーションは近接場走査プローブ顕微鏡(SPM)の使用を必要とする。しかし,2D材料の以前の近接場研究を,SN比を増すためにプラズモンギャップモードを用いてSiO_2/Siと金属基板上に行った。他の課題は,気泡サイズと位置の決定論的制御である。プラズモンSPMチップにより発揮された歪の影響下で,自立単層横方向WSe_2-MoSe_2ヘテロ構造の光ルミネセンス(PL)信号を調べることにより,これらの課題に取り組んだ。初めて,自立2D材料の先端増強PLイメージングを行い,チップ試料距離の関数としてナノインデンテーションによるPL増強機構間の競合を研究した。光電子ナノデバイスを設計する新しい可能性を開く気泡サイズの関数としてPLの同調性を観察した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： SN比 ,  *気泡 ,  *光ルミネセンス ,  プラズモン ,  励起子 ,  半導体材料 ,  画像処理 ,  オプトエレクトロニクス ,  二次元 ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  近接場
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  ナノスケール ,  ナノデバイス ,  ナノフォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ナノバブル ,  横方向ヘテロ構造 ,  TEPL ,  励起子漏斗 ,  強化機構

分類 (1件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 自立 ,  横方向 ,  テロ ,  気泡 ,  増強 ,  光ルミネセンス