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J-GLOBAL ID:202202244025714189   整理番号:22A0156789

高性能ナトリウム貯蔵のためのN-ドープ炭素花上に固定したS-空格子点を有する数層MoS_2【JST・京大機械翻訳】

Few-layered MoS2 with S-vacancies anchored on N-doped carbon flower for high performance sodium storage
著者 (11件):
資料名:
巻: 895  号: P1  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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二硫化モリブデン(MoS_2)は,その高い理論容量とグラフェンのような層状構造のため,ナトリウムイオン電池(SIB)の有望なアノード材料と考えられている。しかし,充電/放電サイクル中の本質的に低い伝導率と大きな体積膨張がMoS_2電極の実用化を妨げる2つの重要な課題となっている。ここでは,容易な水熱法と化学エッチング戦略によって,3D花状Nドープ炭素骨格(NCF@V-MoS_2)上に,S-空孔を有する数層MoS_2ナノシートを固定した。MoS_2ナノシート表面上へのS空孔の導入は電子構造を調節し,本質的に伝導率を改善するだけでなく,層間距離を拡大し,Na+拡散を加速する。密度汎関数理論計算は,S空孔の存在がNa+吸収能力を強く加速することを明らかにした。導電性NCFとV-MoS_2の相乗効果の恩恵を受けて,合成したままのNCF@V-MoS_2は,優れたレート性能とサイクル安定性を有する高い比容量をもたらした。この新規設計戦略は,将来における高性能SIBの開発と応用に対して大きな有望性を有する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
非金属材料へのセラミック被覆  ,  半導体の格子欠陥  ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  ,  塩基,金属酸化物  ,  半導体薄膜 

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