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J-GLOBAL ID：202202244117057279   整理番号：22A0430409

GSST相変化材料とオプトエレクトロニクスデバイスにおけるその利用:レビュー【JST・京大機械翻訳】

GSST phase change materials and its utilization in optoelectronic devices: A review

著者 (2件)： Sahoo Deviprasad (Department of Engineering and Material Physics, ICT-IOC, Bhubaneswar 751013, India) ,  Naik Ramakanta (Department of Engineering and Material Physics, ICT-IOC, Bhubaneswar 751013, India)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 148  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge-Sb-Se-Te(GSST)材料は,最近,多数の光電子デバイスに不可欠な様々な例外特性を示す効率的な相変化材料(PCM)として浮上している。GSST材料のレビューは,オプトエレクトロニクスデバイスにおける重要性,性質,および応用の広い見解を提供する。GSST材料は,最も一般的なGe-Sb-Te(GST)材料と比較して,最も適したカルコゲン化物相変化材料(Ch-PCMs)である。その重要性を考慮して,著者らは,GSSTに基づく簡潔な計量書誌分析を行って,その傾向研究ホットスポットに関する情報を収集し,レビュー論文の全体的概要を設計するのに役立った。その重要性に関する議論とともに,バルクおよび薄膜特性およびそれらの応用についても調査した。それとは別に,スイッチング,電気的再構成可能メタ表面,非揮発性再構成可能デマルチプレクサ,光,振幅変調概念に基づく典型的なオプトエレクトロニックデバイスにおけるGSSTの使用についても簡単に論じた。GSSTに関するこのような議論は,材料の研究進展の全体像を提供するだけでなく,効率的な特性と応用可能性をもつ光電子デバイスの将来展望に向けたヒントを提供する。革命3D XPoint技術に関する著者らの更なる議論は,非揮発性メモリの進歩,特性,および応用を簡潔に概説した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング ,  薄膜 ,  振幅変調 ,  *分波器 ,  カルコゲン化物 ,  ホットスポット ,  不揮発性メモリ ,  三次元 ,  非揮発性
準シソーラス用語： 書誌 ,  再構成可能性 ,  *相変化材料 ,  *光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 不揮発性メモリ ,  相変化材料 ,  Ge-Sb-Se-Te ,  計量書誌学的分析 ,  オプトエレクトロニクスデバイス ,  3D XPoint

分類 (5件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  非線形光学  (BD05000T) ,  光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 相変化材料 ,  オプトエレクトロニクスデバイス ,  レビュー