文献

J-GLOBAL ID：202202244429247563   整理番号：22A1113184

光学,熱および電気技術による液晶の相転移の検出【JST・京大機械翻訳】

Detection of phase transitions in liquid crystals through optical, thermal and electrical techniques

著者 (3件)： Rohini P. (Bannari Amman Institute of Technology, Liquid Crystal Research Laboratory, Research Park, Sathyamangalam, Tamil Nadu 638401, India) ,  Madhu Mohan M.L.N. (Bannari Amman Institute of Technology, Liquid Crystal Research Laboratory, Research Park, Sathyamangalam, Tamil Nadu 638401, India) ,  Pongali Sathya Prabu N. (Bannari Amman Institute of Technology, Liquid Crystal Research Laboratory, Research Park, Sathyamangalam, Tamil Nadu 638401, India)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 258  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電水素結合液晶を,種々の技術による相転移温度の文書化のために選択した。本論文では,光学的,熱的,誘電的および電気的方法を含む10種の技法によるスメクチックC*からスメクチックG*への相転移の同定を議論した。光学集合組織は相転移に対する最初の証拠である。スメクチックC*は,スメクチックG*が滑らかなモザイク組織によって同定される間,壊れた焦点円錐構造によって明らかにされた。DSCサーモグラムにおける強いピークは,C*からG*相へのエンタルピー値と共に正確な相転移温度を提供した。また,温度による誘電率と誘電損失の変化は,C*からG*相転移温度までも変化した。これらに加えて,この試料の熱-電気プロファイルを,電流の一定大きさで電圧と温度の間で構築した。熱電プロファイルの異常は相転移温度の検出を示した。最後に,温度の異なる値に対して熱抵抗プロファイルを構築した。温度によるメソゲンの抵抗間のプロットにおける異常は,明らかに一次C*からG*相転移温度を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *液晶 ,  エンタルピー ,  集合組織 ,  水素結合 ,  *相転移 ,  電圧 ,  転移温度 ,  電流 ,  熱抵抗 ,  誘電損失 ,  誘電率 ,  温度依存性 ,  モザイク性 ,  FTIR分光法 ,  メソゲン

著者キーワード (5件)： テクスチャ ,  サーモグラム ,  熱抵抗 ,  熱電気 ,  温度依存FTIR

分類 (3件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  光通信方式・機器  (ND10000B) ,  量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 光学 ,  液晶 ,  相転移