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J-GLOBAL ID：202202244597566768   整理番号：22A0480516

シクロペンタジチオフェン系ドナー-アクセプタ型共役共重合体膜の電荷輸送に及ぼすフッ素-フッ素斥力結合の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of fluorine-fluorine repulsive coupling on charge transport in cyclopentadithiophene-based donor-acceptor-type conjugated copolymer films

著者 (5件)： Kim Doyeon (Department of Smart Green Technology Engineering, Pukyong National University, 45 Yongso-ro, Nam-gu, Busan, 48513, Republic of Korea) ,  Yoon Minho (Department of Smart Green Technology Engineering, Pukyong National University, 45 Yongso-ro, Nam-gu, Busan, 48513, Republic of Korea) ,  Chun Young Tea (Division of Electrics and Electrical Information Engineering, Korea Maritime & Ocean University, 727 Taejong-ro, Yeongdo-gu, Busan, 49112, Republic of Korea) ,  Lee Jiyoul (Department of Smart Green Technology Engineering, Pukyong National University, 45 Yongso-ro, Nam-gu, Busan, 48513, Republic of Korea) ,  Lee Jiyoul (Department of Nanotechnology Engineering, Pukyong National University, 45 Yongso-ro, Nam-gu, Busan, 48513, Republic of Korea)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 101  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ドナー-アクセプタ(D-A)型共役高分子と高分子誘電材料の両方がフッ素化ユニットを含む高分子ベース電界効果トランジスタ(PFET)における半導体チャネルの電荷輸送特性に及ぼすフッ素-フッ素相互作用の影響を明らかにした。シクロペンタジチオフェン-alt-ベンゾチアジアゾール(CDT-BTZ)のベンゾチアジアゾール(BTZ)ブロック上のフッ素化ユニットは,シクロペンタジチオフェン-alt-フルオロ-2,1,3-ベンゾチアジアゾール(CDT-FBTZ)の平面性を増加させるF...S非結合相互作用を介して立体配座ロッキングを可能にする。このように,CDT-FBTZ共重合体膜は,高度に結晶性であり,エッジオン配向を採用し,PMMA被覆CDT-BTZベースPFETと比較して,ポリ(メタクリル酸メチル)(PMMA)誘電体層で被覆したCDT-FBTZベースPFETの電界効果移動度の8倍増加をもたらした。一方,フッ素化誘電高分子(CYTOP)を含むCDT-BTZベースPFETの電界効果移動度はPMMA被覆CDT-BTZベースPFETの2倍である。これらの向上した電気的性質は,共役高分子とフッ素化高分子誘電体の間の界面での表面分極ドーピングに起因する。しかし,表面分極ドーピングの影響にもかかわらず,CDT-FBTZ系PFETの電気的性質は,フッ素化CYTOP誘電体と組合わせて劣化する。Gauss無秩序モデルに基づく電荷移動分析は,CDT系D-A型共役共重合体PFETsに対して,フッ素-フッ素相互作用効果がゲートバイアスが増加するにつれて非局在化状態への界面スイッチで生じるPFETデバイスの半導体チャネルにおける非常に僅かな局在状態を明らかにした。対照的に,フッ素-フッ素相互作用のないPFETチャネルにおける局在電荷状態は,印加ゲートバイアスに強く依存し,ゲートバイアスを印加すると非局在化する。したがって,フッ素化高分子誘電体層と界面するフッ素化機能部分を含むD-A型共役共重合体におけるフッ素-フッ素反発カップリングは,ゲートバイアスによって誘起された電荷の非局在化を妨げ,それによってデバイス性能を劣化させると推測した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *アクセプタ ,  界面 ,  *ドナー ,  半導体 ,  分極 ,  誘電体 ,  被覆 ,  FET【トランジスタ】 ,  フッ素化 ,  *共役 ,  高分子 ,  ドーピング ,  局在状態
準シソーラス用語： *電荷輸送 ,  ゲートバイアス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： シクロペンタジチオフェン系共役高分子 ,  高分子電界効果トランジスタ ,  フッ素-フッ素反発 ,  電荷輸送 ,  Gauss無秩序モデル

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (7件)： ドナー ,  アクセプタ ,  共役 ,  共重合体膜 ,  電荷輸送 ,  フッ素 ,  斥力