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J-GLOBAL ID：202202244724538761   整理番号：22A0439122

太陽電池応用のためのセレン化/硫化のないCZTX(XS,Se)活性層の堆積に及ぼすRFスパッタパワーの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of RF sputter power on deposition of CZTX (XS, Se) active layer without selenization/sulfurization, for solar cell applications

著者 (4件)： Simya O.K. (Functional Materials Laboratory, PSG Institute of Advanced Studies, Coimbatore 641004, Tamil Nadu, India) ,  Vijayaraghavan T. (Functional Materials Laboratory, PSG Institute of Advanced Studies, Coimbatore 641004, Tamil Nadu, India) ,  Subramanian B. (Electroplating and Metal Finishing Division, CSIR-Central Electrochemical Research Institute, Karaikudi 630003, Tamil Nadu, India) ,  Ashok Anuradha M. (Functional Materials Laboratory, PSG Institute of Advanced Studies, Coimbatore 641004, Tamil Nadu, India)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 898  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅亜鉛Tin Selenide Cu_2ZnSnSe_4(CZTSe)と銅亜鉛Tin Sulfide Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜を,異なるRFスパッタパワーと450°Cの一定アニーリング温度で多成分単一ターゲットから堆積した。プロセス中の個々の金属損失を避けるために,その場アニーリングによる一段階堆積を行った。EDS分析で確認されたように,太陽吸収体材料に適した望ましい化学量論を得るのに役立つ四元ターゲットの元素比を細かく制御するために,種々の堆積パラメータの影響を調べた。薄膜の相純度を調べ,XRDとRaman分光法で確認した。調製したケステライトCZTX(X=S,Se)膜上のn-CdS,ZnO,ZnO:Al層およびAlグリッドを有する薄膜太陽電池デバイスを,完全真空蒸着技術を用いてMo被覆ソーダ石灰ガラス上に堆積させた。光学的,電気的および構造的結果は有望であるが,これらの単一ステップ処理CZTSeおよびCZTS太陽電池素子の変換効率は,堆積膜の可能な界面効果およびより小さな粒径により,3.72%および2.6%に限定された。ケステライト薄膜太陽電池の工業的製造を考慮して,このプロセスは,大量生産プロセスの一段階還元に導く固有の純度を有する環境に優しいアプローチを保証する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  焼なまし ,  真空蒸着 ,  *太陽 ,  *太陽電池 ,  薄膜 ,  大量生産 ,  アルミニウム ,  モリブデン ,  被覆 ,  純度 ,  *硫化
準シソーラス用語： 薄膜太陽電池 ,  CZTS ,  *セレン化反応 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CZTX(X=S Se) ,  その場プロセス ,  結晶構造 ,  バンドアラインメント ,  結晶粒界

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (9件)： 太陽電池 ,  応用 ,  セレン化 ,  硫化 ,  Se ,  活性層 ,  堆積 ,  RFスパッタ ,  パワー