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J-GLOBAL ID：202202245034683249   整理番号：22A0182496

定圧ダイヤモンド研削と固定研磨化学機械研磨を用いた逐次によるシリコンウエハ薄化の実験的研究【JST・京大機械翻訳】

An experimental investigation of silicon wafer thinning by sequentially using constant-pressure diamond grinding and fixed-abrasive chemical mechanical polishing

著者 (7件)： Li Gengzhuo (Department of Mechanical and Energy Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, China) ,  Xiao Chen (Department of Mechanical and Energy Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, China) ,  Xiao Chen (Advanced Research Center for Nanolithography (ARCNL), Science Park 106, Amsterdam, 1098XG, the Netherlands) ,  Zhang Shibo (Department of Mechanical and Energy Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, China) ,  Zhang Shibo (School of mechatronics engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, Heilongjiang, 150000, China) ,  Sun Ruoyu (Department of Mechanical and Energy Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, China) ,  Wu Yongbo (Department of Mechanical and Energy Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, China)
資料名： Journal of Materials Processing Technology  (Journal of Materials Processing Technology)
巻： 301  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0650A  ISSN： 0924-0136  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スルーシリコン(TSV)を用いた三次元積分は,マイクロエレクトロニクスデバイスの性能と電力消費を著しく改善できる。TSVを用いてより多くのチップを垂直に接続するために,シリコンウエハはできるだけ薄くなければならない。ウエハ薄化のための最も広く使われている方法として,一定供給研削は,ウエハ内に深刻な機械的損傷と応力を必然的に導入し,一方,化学機械研磨(CMP)とエッチングのような一般的な応力-レリーフプロセスは,材料除去率と表面品質を効果的にバランスさせることができない。これらの問題に取り組むために,本研究では,ウエハを薄くするために,一定圧力ダイヤモンド研削と固定研磨CMPを順次使用する新しい薄化法を提案した。適切なアブレシブサイズと圧力を選択することによって,定圧ダイヤモンド研削はシリコンの高効率薄化と低損傷延性除去の両方を達成できることが分かった。しかし,この方法は常に表面に500~2000MPaの加工応力を生成し,数十ミクロンの深さの応力伝搬層を生成した。固定研磨CMPは,効果的な材料除去を達成するために,摩擦の下でCeO_2研磨剤とシリコンの間の摩擦化学反応を利用した。結果は,このアプローチがRa2nm未満の粗さを有する超平滑表面を提供し,一方,加工応力は150MPaを超えず,研削損傷層の除去に理想的であることを示した。定圧ダイヤモンド研削と固定研磨CMPによる逐次薄化を行うことによって,この方法は超薄シリコンウエハの調製のための効果的技術であり,優れた応用展望を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 延性 ,  *研磨 ,  *ダイヤモンド ,  *研削 ,  *ケイ素 ,  電力消費 ,  摩擦化学反応 ,  研磨剤 ,  三次元 ,  *化学機械研磨
準シソーラス用語： 高効率 ,  *シリコンウエハ ,  材料除去 ,  材料除去率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 超薄ウエハ ,  定圧研削 ,  固定研磨 ,  摩擦化学研磨

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： ダイヤモンド ,  研削 ,  研磨 ,  化学機械研磨 ,  逐次 ,  シリコンウエハ ,  実験的研究